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可能原因三个 :
`2 `9 L! ?2 A1 c8 e# L7 C5 I1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了8 H& k/ F! D. E. }" a
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
6 S# \/ |( l+ B* F以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大$ O% x6 [1 G. b/ O% N1 X* @& r
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
, w! E* C& r9 ]. \: ]8 `2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
: G3 p# ~. E" v7 k* k. a当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方+ J. I: A5 m1 L. c: d* ?
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
% f/ p! U# E8 o+ z+ N若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
8 H) b T8 A: d. i, h若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
* |( H" R+ x& c2 q% _! j一部分流到GND 一部分会再反射$ x: H+ ]4 ~/ v
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化1 @2 x! e* \+ S l( z: [8 ^
4 _" B7 z0 T7 s+ n4 B6 L S
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
# y9 c2 e& P* Z6 _6 u0 B8 z# A7 l验证方式 :( i+ w- P" T$ {6 c3 ^
第一种现在很少见了 所以就不提
: P2 o( h# w1 t/ m第二种的话 可以这样验证 % }4 \8 i8 w a0 e# j7 G/ D* k
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
; E- d Q: r, B# _因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式! q) ?+ w5 O! x+ M2 Z. [
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
. ?9 M! z* [! Y7 ?# W: e0 e那凶手就可能是来自这原因# i% f: i& }! j
值得注意的是 那个DC Block要加
" W( w9 V9 U+ t: |$ E) Y9 |避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
) t/ a d- i& x) D* _) l4 c" U# w5 N( r1 F) j
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下- x ~5 T. |5 ?; ]
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片: F- _# v- y, l' ^/ C9 R
, G/ o: O0 y! Y, O! C) A
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
. H/ I5 s, L1 i- h因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式* @7 P" _0 R% d
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差( |$ l) s7 J7 n( M9 f) X
那凶手就可能是来自这原因+ C5 q# t* w$ {# o
解决方案:
" V5 x: _% [) u4 N( r8 q第一种现在很少见了 所以就不提
' I: F! j& e- x0 }$ T$ B5 p. I第二种的话
7 g, M( {& U/ d1 h A0 h9 q3 |7 s* f( \ u" v2 B; V
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
( |5 y& S# Z1 ^- U3 d摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND: n* w2 ~5 u# o2 n* `1 b- K0 v
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF! J9 y8 d! X. y
: l: L2 [" i- c& R; @0 p% E r
第三种只能改机构
# g0 w# _1 T# |7 O要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大, z* r, j. g/ F% j9 I
不然就是PA上方直接开天窗
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