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可能原因三个 :
, ?; V; [1 P3 r- g$ {9 x' ~! a3 B1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了- l3 F" Q! S {
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
6 m, r2 G; w6 ^以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大8 P% e9 s' N" U5 y5 D' i
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
" k3 s( J9 ]3 U, d2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
' B/ X3 u, d9 ~当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
! M6 S9 W! U; \8 C3 w8 F. |也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
9 b) H# e- }# a" b0 i; g6 R若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND9 t0 D& V' I u
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号! {/ e+ P/ L. g3 v
一部分流到GND 一部分会再反射; C* L3 p2 o: o) K: I
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化7 ~' E* i: Q% J4 w' _3 r
3 z4 }- }+ \" _6 ^3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
: K( `! w/ w- {5 s8 Z6 s验证方式 :7 [2 S/ r8 L% D& H+ b
第一种现在很少见了 所以就不提
P' E* }: d' s5 y9 W% c& t0 d第二种的话 可以这样验证 $ D0 r/ F& ~- z, S( S8 ]1 L& \
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好$ K2 a, I0 p4 i8 U- Q2 G
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式, K4 a5 w ^* z7 k
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
1 I/ [. N' {) x( L/ r那凶手就可能是来自这原因
4 S: r* _; {" J8 M值得注意的是 那个DC Block要加
7 l, U e0 |% a! E避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
' a2 h# f1 v+ H4 N
! p3 Z; z- O6 X8 d. u0 ?$ y第三种的话 在没加屏蔽罩状况下& G7 |" ^* u( @. U5 r" _
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
# k+ R6 t1 I4 z# T. ]. X( F# }) u7 J. }5 R9 l" ]
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好' @; d. D/ j' D9 K5 M+ x' y$ O
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
h: ?* l- o! @$ h; G若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
4 i& V$ M8 X) \那凶手就可能是来自这原因# x Q" U! C# l' e2 M+ H# J( u1 E
解决方案:
7 H7 o% x1 Q( V, ?. r第一种现在很少见了 所以就不提+ W* i1 t- h& s+ h z& v7 M
第二种的话
4 J" U/ R$ t! n1 c8 p" R4 S$ r% P: l' C: }9 v8 @
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边. y' {6 Q9 M: Y- }3 i
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND! ?2 Q: d$ P& B' L' d. v9 t5 d
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF( D# ~7 a$ F8 b
: X5 z; \ w! M第三种只能改机构 F. E" \/ _* ^9 p8 Z- F7 g$ r: r
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
5 o3 a. z, X( L- h0 f- ^; G- |0 ?不然就是PA上方直接开天窗( l; b$ n+ \- y- ?, v) M+ o
9 O1 z4 G3 A; E/ s+ t |
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发表于 2019-12-3 14:46:00
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