本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:07 编辑
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! V) Y9 r6 ?; B w. t x1 hPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。
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2 ~! G g' V. G+ w, n一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE, Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD, Power Device)两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备,同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。传输介质由水晶头、模块(POE)、配线架和网线组成。 . r% f) F8 S! y1 h9 d3 L
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$ z% K0 L0 @4 [( C由于PoE减少了电线的数量,降低了成本,简化了基础设施管理的同时安装也非常灵活,在人们的生活中,POE应用也多了起来。
3 `$ ]8 V$ Q5 p& N$ {% i5 rPoE需求一直呈现上升趋势。数据显示,以太网供电(PoE)芯片组2017年的市场规模为4.648亿美元。预计从2021年到2027年将以12%的复合年增长率增长。尤其随着运营商推出了 “智慧家庭”概念,使得POE摄像头普及到了城市每家每户,以及三四线农村家庭。
1 j5 m1 J3 `) }* @: r在安防市场,随着运营商POE -IP摄像头集采数量的不断增加,标准POE芯片的供应远远无法满足。
% e9 C9 v% N# \( n. C发现这个需求后,专门为安防市场定制芯片,推出了精简版POE芯片TT9932,应用于12V 1A的场景,并有两个核心优势:1)纹波低;2)效率高!TT9932在解决供应问题的同时也满足了运营商对PoE 摄像头低成本的要求。 . p8 a7 |) h& S3 j
巧妙的让客户避开国外品牌“天价”芯片,又满足了本地需求,解决了客户的燃眉之急,一经推出就获得了很多厂商的认可。 3 W& C/ E( Y" {% C: F& \5 L: P
废话不多说,基于主推TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案,一起来看看吧!
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S& U" ?! U* l, {: N0 C% v# {1、电路参考、PCB、BOM list
4 v ^- W9 n% O9 ]' T+ |样机采用了主推的TT9932,最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;PoE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。
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2 M2 h/ q/ w9 L9 h$ YBOM List:
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+ P; } [% U9 a! k, y变压器参数:% |/ Z+ x4 C) w( s' U- e( T" P
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7 i# k+ I+ s6 O3 F- VTT9932:高性能DCDC控制器
+ P' ]9 x) y- q" k5 o \( _' C9 iTT9932是一款用于以太网供电系统(PoE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。* L1 d; g3 X5 N
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TT9932核心优势* }6 O# v1 C. y6 w! X
9 M- }1 k3 ?. J: U) J8 U1)纹波低;
0 {$ }+ H$ [& i) N+ S/ H2)效率高;2 Y7 X8 Z: [; B6 B5 O
7 E. H2 a" z$ ]0 r; W. }
特性
. M y. } Z. ~/ j8 Z较低的启动电流 (大约 7μA) 欠压锁定功能 原边控制模式 轻载降频,降低能耗 VCC过压保护 输出过压保护功能 输出短路保护 内部过热保护 软启动功能 峰值电流控制模式 内置LEB电路 过载保护
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基本应用; v: E( A+ p$ h
7 C6 f( T( E) s4 a, b% E1 d管脚排列
/ p4 }6 o; M1 u% ~- o H, w; E; d6 ?# k W" B9 w# i, l, O
" I, q/ {( m8 I8 I2 p
管脚描述
) g( W( L s5 u$ b! S
7 P% z" v* P3 s8 J% H/ E2 q" a. t' `6 |. G7 s, d
典型应用. e* r a( C# B5 q& E; K- j5 R1 E
4 L! @8 \% o5 C" B5 m7 T' p: d/ ^& }
2、样机特性
7 P: v% H1 ^8 ~( K3 s本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。
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) ?, f: u# M! B+ t8 Q: l! m样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。
5 ]/ Q9 [5 D* F1 n7 h2 B
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/ x) o W$ b) Q8 p注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。
) H( G/ {; k3 [
; T1 E& i1 n9 `* T2.1、协议功能测试 0 @4 r. D" j' u" b5 p, @
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. B0 w5 Z6 l9 [
' P* o- G4 n6 y" ^7 G2.2、DC/DC 转换性能测试
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5 l, K' F9 p) ^2 M/ x5 D0 i, U0 Z* P4 Y6 O5 K# X9 k4 j& D9 B' p
DC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。: }7 Q0 B, X, O; Q8 \. ]; d
* P) u0 b1 B) G) o( x3 {2 Y2.2.1、转换效率测试
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) q/ i- v6 Y; X
3 r+ `; b0 Y! I
7 A* k) U+ p7 U4 [: }' k2.2.2、负载/线性调整率( e' t& W& A0 A8 P& _3 @
. W+ f+ X6 Y1 c! X) G' s5 e
2.2.3、CV下恒流点测试( w, P% ^6 B5 M, g/ t
& x8 n* V, m" V8 J8 }
3 u0 A* m8 b D9 D2.2.4、动态测试5 r( d4 I$ y: f
; Z0 h1 B7 h6 { j2 W; V
VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态 Vout=11.92V~12.52V
% Z9 N) y3 g' `6 z4 n0 O
( ~4 Z2 W5 h+ k* h- E- QVIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态 Vout=11.92V~12.52V
; W& c3 T `1 a9 F# | w$ d
5 S7 F t3 |. u. A& G: @2.2.5、输出纹波
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输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试。
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: M$ Z# \, b, R: r" t# A. p8 }1 o" t" ~$ M) j
) ], J5 k" Q9 g4 F38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV
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) i1 H& m+ _ N1 }3 w9 d* j, m
57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV
0 @% Q$ @" H8 H6 K
$ Y' f3 \3 l6 P) ?1 j+ g* h* Z2.2.6、部分工作波形+ B/ y& u) d" E% J3 ?
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' P$ y' q; f& H: gCH1:V_VCC CH2:Drain VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形 ' v6 e9 A* ?/ S$ j2 W$ Z
) B1 Q# Y3 ~8 P' ^" ]( _CH2:V_Drain CH1:CS VIN=38V Iout=1A
4 O j' w4 ~. }3 jV_Drain最大应力130V Vin=57V Iout=1A 4 `1 K9 J# O# u* I9 U7 R) q: A
输出二极管应力36V VIN=57V Iout=1A 8 G1 b1 q2 E. b3 S* t
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