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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
6 M1 @. o2 ]3 z+ p4 {5 D" a) R& [: S
& G. O( [& v, j& @; N* n' a. ]

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。

4 D4 G' T9 ^1 n5 Q. b; V$ g

& g' }! X. I! I1 m" Y# G- m' w3 M+ D

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!

& j% I; ~$ Q0 }8 u

1、确定系统规格


% H8 X' e5 ^  e; F( m% i" M, T& k5 D2 O

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。


8 P: c7 v  t# n/ @1 l7 u$ C4 _- ^3 X

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。


& [% ~- |+ P" o  B* U

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。


6 E( D; v4 X3 [5 D/ R

输出电压:VO,单位:伏特。

/ a- O+ x/ d' Z

最大负载电流:IO,单位:安培。

7 Z: U1 Y; R2 A7 ]; k9 m( l8 u

输出功率:PO,单位:瓦特。


( V! q4 s: V- p; `/ |/ F

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。


/ R# j7 ?2 G1 |
3 A9 ?5 f  }5 Q! i0 n
5 h& `1 p. d, ^8 T

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)

( J' W6 A4 j, l3 R

最小直流输入电压VMIN


6 u) q- J- a* ^
" H8 d! D: `+ ]8 v4 f

其中,


/ B4 \/ X7 i1 y" r" Q, W

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX


3 u# n# b- ^9 @& D. |- ^

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP


! v7 K1 l* }; l8 i

2 o& W+ R% B& h( y! }1 ]

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;

  n5 E9 h  w5 Z7 e' Q


3 T: @' k, q: G6 ~! ?' I5 }% p/ n

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。


6 @4 f6 w+ l* t- k) V

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;

2 L/ B2 u+ U' d

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。


2 @- b8 }) p9 a$ f" s1 W. U( e

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX


$ G) u4 G/ z% H, d2 V% m. V
* R: n6 z% N( f5 {

反射电压VOR设定在80V~110V。


  W5 V* I4 P4 ~, B, a1 p

连续模式时计算DMAX:


- m" s7 ~0 O& ?- |5 p

非连续模式时计算DMAX:

2 x( x5 v4 E, c6 x* d$ ]

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。


, S; y  L- b0 Z0 I6 e; r

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小


% o7 w  l, \. o9 ]4 b  n, T: h, z
& k  A  Z2 P; E8 X: E% v

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:


/ B. e( i" h, Z4 R* k

  U6 @+ U' F( Q, S  u8 k

$ W" Q( l. h# E" F- `
. Y/ z3 A: K, D( |; l; K

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。


* e3 p( |, q* v& W% _9 B1 o7 c9 u5 q

6、确定合适的磁芯

) p/ |# a/ V5 U  j) O$ M

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       


" w+ x8 g% f7 A9 ?7 z


' b2 S: ^& t" W- R4 S# U

传递功率:


7 j+ Y6 |2 y3 {6 m) _: @5 n

电流密度:


# [4 S4 R# c. I+ {; Q4 b

绕组系数:

9 {  j  ?( t# I9 d# y

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。


9 q9 ~' t. e5 q" M

! S8 c7 t! @# H  a" L+ T

图2.3:磁芯窗口面积和截面积


; m( b" J3 K0 h/ L

7、估算DCM/CCM临界电流IOB

& Z0 H2 w  B$ r. E

& ?- E0 ^$ c! R* W0 e

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比


9 p. p- X" V% `, x; J. N; y
. M0 N; z3 d. C. O8 I

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。


6 y/ }) Y; j' ]3 e. {5 g1 C

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:

( j: S8 q- C; N3 T9 [9 `- a

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:

) e  u2 k9 x7 V5 G/ F

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:

3 I' C' J1 w6 w% q$ i

12、计算副边电感LS及原边电感LP:

, Y, ]( B) H' w; B- X


1 y$ ^/ S0 X& x$ h

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。

1 r" `6 j6 @: J  N

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。

/ ?  r" I+ o0 [! H' X, S

14、次级绕组和辅助绕组

! x/ n- R+ [, |/ p# ^) @2 L& Q

初级绕组与次级绕组匝数比:

4 Z0 v5 S7 z5 Y* P

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。

# u2 e8 F! n! B# H

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。


. m  `1 L4 F" ^

辅助绕组匝数

* ~6 S. f$ t0 Y

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;

& X: G2 R# v& s. @

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。


0 w6 I4 E% j! c- A% p

确定磁芯气隙长度:   

% i: R" [7 M# w& m


' p9 B% |# s( }- M# ^3 R3 y

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。

  W" b1 }6 {8 @

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。


# p) l* P7 V& |1 ?$ |

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。

. k7 E; F8 I" E3 ^
4 b) L1 Y% w3 M- F, ?& T

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。


2 P  ~1 {) y0 u! w

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:

. V  t) N( _1 V  B0 ^6 L) [

$ s& K; o3 |: H# q* w2 O
# Y+ S* f) f* |8 X

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。

1 G. p* |+ U. q

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