本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 . Y' V& \, D( ?; z' `5 k4 l& s
! F8 N9 s5 j g6 x! @' m$ r在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。 0 Y7 }" X( q0 L
( ]% e% b1 x' O! i
* c, O0 ^% S1 [% V/ D" {( _) j接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧! : U2 @, O1 q q5 }: e3 x& Q/ C
1、确定系统规格
( E; p& }, e2 q; h) q0 I7 `0 R. A
1 T' D7 e1 K' T( T" M最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。 1 Y) m' k, E* C3 R
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。 % V! L# R- B% w9 K; c6 z
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 8 k, I+ Y& r. N# }
输出电压:VO,单位:伏特。 ' e3 z/ \- [2 }
最大负载电流:IO,单位:安培。
" B+ n9 q. ~9 F% C. S
输出功率:PO,单位:瓦特。
& @% E5 W4 _1 R7 f; A
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。 . Q- U7 ^$ |8 K: g- B
$ q+ O% S p# q0 ]
6 t5 Z* G5 W' h5 |6 x6 |, p3 J5 J
2、直流电压范围(VMIN、VMAX) & d5 c$ Q" [. t
最小直流输入电压VMIN
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其中,
* h* e4 }6 W( M$ t2 [% }
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX
5 ~) {7 _& {4 V# K+ D) W& ]* A3、相应工作模式和定义电流波形参数KP 9 ?; k6 Z+ i. s9 \+ L; D
3 ?; m6 [/ e: l) Y( D) m2 s% t( E
图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; & F5 j1 i# \, b6 V7 ]
: }# a( d; V5 a2 w( s# W
其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
- V: e8 T/ B! k# v
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;
4 @ o6 P7 @4 F: [+ [在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。 : S2 B- e6 d* q; q$ I- w
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX 6 ^7 d. x% r7 H2 y5 ~
! n' Z7 J/ C% T) T9 `6 r* Z3 R
反射电压VOR设定在80V~110V。 ; R0 u/ W$ q }! j s6 H+ T8 } u
连续模式时计算DMAX: ! h, @6 X6 S( n0 _: c! G) v
非连续模式时计算DMAX: $ W+ `, K$ E/ i1 R0 P& j3 G6 T
其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。
+ I2 k% i3 ^$ c9 m) w# h3 N6 J: M) j
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小 : J7 ?( V! J7 g( l5 @
4 w! w- D7 }* ?: b
选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: 2 D5 F5 J! z/ z1 B: V6 t" }8 e
; F" {( f) U$ m
`* B! y: @3 \4 b
2 X! P8 d8 u! O5 \( B! H3 b$ d
式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。
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6、确定合适的磁芯 4 b5 u& |$ P8 `- {7 P0 w& i8 J
实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。
a5 v. p, b0 m0 a4 i4 `6 h% M% j/ f. V W, O6 s+ Y# v
传递功率:
@, ^' U+ J) F! i6 l' w% @电流密度: * J8 V! r+ D% L" C
绕组系数: * {6 Q) W5 f' F+ t% y' L8 e
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。 1 a$ ?. \0 T/ T2 `: J
: `7 S. O$ Y4 Q
图2.3:磁芯窗口面积和截面积
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7、估算DCM/CCM临界电流IOB : E7 z' ?+ G& J( E# E# G: e
* k! V0 O! y. r9 W6 V
8、计算初级绕组与次级绕组匝数比
: X* q k1 a& M8 f7 [. Q/ J! P2 d2 m1 H
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。
. b3 R8 h4 o6 Q( `) p
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:
, Z" b) O5 m3 A* m& L m8 p10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:
- U2 x' I& ^/ E: Q+ s* \6 |11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: 4 w V$ X! C; x. l0 r# ]
12、计算副边电感LS及原边电感LP: ! Z; D' I8 D. I% I. X
) f. l" |3 l% ?+ a, n: R% G- r
由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。 & i/ M \6 X) G& G; H4 l5 u$ [
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。
$ L' Q' w! K/ I, Q14、次级绕组和辅助绕组 ! \2 w9 g7 R' y6 v5 L0 p6 F
初级绕组与次级绕组匝数比: : e6 l! Q7 s" h/ U
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 $ c7 o0 f7 |1 I: J8 P
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
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辅助绕组匝数 1 f0 D3 ~7 C0 k2 ~; y
其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压; : }+ d4 l1 q3 H; y
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。
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确定磁芯气隙长度:
3 ^0 ]3 B' {! r( [
( [& G+ \7 [7 v; t其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。
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通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。
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15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。 / {* U0 \6 Y, `8 R+ f
5 a; T& O0 }/ Q4 \) \# I5 L7 a1 U. Q当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。
0 d' f+ v/ b0 Q% F7 k F# f2 F
检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:
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$ i( D$ \7 e* L" q$ P5 p* d3 e! ?3 b
式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。 0 W& l, w1 Y: O& W; G
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