本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
( v8 m$ L0 J, i6 p( T
3 T( ]" g: J. \# W0 F在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。
( E4 N8 W& `' {/ r; \9 q. ?' _
9 q a& H; m3 ^4 S
5 O% f) @/ }) W* B接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!
3 p) D2 n" M5 @) _& W9 I
1、确定系统规格
4 r* l0 g# a2 ~/ i
* }1 ^+ y& O$ @& i2 C2 U5 Q; ^最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。
( N! h; u) g( i( N" j# y& Z; D" O8 A5 G
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。 " p u7 g, Y3 ], T) ~
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。
4 V- @3 I& f; s/ M) k& K$ Q
输出电压:VO,单位:伏特。
0 n1 J1 p) s8 j! R+ Q+ A+ e) U& s
最大负载电流:IO,单位:安培。
1 k6 m) D' W4 m: F: `5 J
输出功率:PO,单位:瓦特。 5 W; w$ r9 X) J3 N
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。
# y( B8 w; ]3 A* e5 M. v8 e) ^, g" u5 y& l6 {
3 I1 e/ X8 y1 [1 E2 v2、直流电压范围(VMIN、VMAX) 7 F" c( m3 ?2 Z- h7 H
最小直流输入电压VMIN y6 c& k u" Y/ w
# X/ k% ?. \" ^4 |' l4 b+ D2 i0 f其中, ; z& p0 G% o& X: J
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX
. k" E# |7 C% K5 ?* ^3、相应工作模式和定义电流波形参数KP 3 [1 Y9 L' b. j
, e6 g+ p3 q, s% N+ Y3 e0 v( ]4 X+ b图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; : k7 N2 l$ s# ~# @5 T, A$ I
+ [: F' x/ F4 a0 s8 d0 D
其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
" Q# l2 v# Z! D+ L4 H2 H! K7 g
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b; ; y0 z x9 K4 W$ x, V0 f
在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。
4 C; U6 t! C4 C5 P9 k, k/ @
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX 5 w5 N1 Z) {+ s: s
# K5 q. Y8 u' r: A0 S y反射电压VOR设定在80V~110V。
* ?% Q0 B3 N) `5 {; B# a
连续模式时计算DMAX:
! i. R% @* ^! Q6 ]& E非连续模式时计算DMAX: 8 x5 a4 e% M4 l, I: t
其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。
- n) W. x L& K$ U9 q( u, P
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小
2 o. ~5 `, ~& E
' `" J- P) V4 q" m2 E选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:
+ x$ ?) c, D# {; J9 R
+ p% A2 u3 ^. q4 W
" q' y$ y& I) S- \0 E# l
1 Q! v/ j- ^) ]式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 - B# ?1 G" m" t# H" c, z$ d+ K- Y
6、确定合适的磁芯 0 l% f9 B9 M7 T' u+ D& [5 G
实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。
' f% a5 h! W% u! @/ h8 ` r8 |5 @1 [
传递功率:
8 P: M$ P% J) n电流密度:
5 T4 O% M$ x) B' b h绕组系数:
3 b% l% F7 l8 A7 A式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。
- f1 `) a9 a) o
, @! X3 a2 ^) u% c+ P! G图2.3:磁芯窗口面积和截面积 $ w2 g( v) G& R
7、估算DCM/CCM临界电流IOB
; {$ i$ o z9 l% N. y7 m$ t
; R; ~/ A$ U) f5 |# O9 e8、计算初级绕组与次级绕组匝数比 ; D7 V; u; A, r7 e0 a5 B# J9 J* f
: u2 B- A1 N# h& i
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。 ) A. y) f% L4 P( ~; w- R) L4 M
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:
! l' O5 t0 m1 e# |# g10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:
: ?+ e& f! N& G: B& ~3 }11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:
4 k: c; M+ ~- {2 o12、计算副边电感LS及原边电感LP: 0 X& c& z$ x/ w0 |; S/ K
7 t' [' c; c9 H" O' t由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。
' [" |7 O* H' H0 P; y( b: O
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。
( ]1 t6 ^% j7 r N14、次级绕组和辅助绕组 4 D% T7 x7 n+ }3 l
初级绕组与次级绕组匝数比:
; f! \8 E8 C2 k其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 L! D0 \, i l6 w9 X
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
8 A- S5 d) a `5 Q6 w% Z
辅助绕组匝数
+ M7 g9 W/ _% T! L) ^7 v( g# j k其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;
3 ?# X& s7 L! Z9 r8 l% w
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。
2 h6 U, |: ]4 `! Z n8 T
确定磁芯气隙长度: 5 l" F8 g) y9 [9 h2 Q
& \& V7 U% x) z8 n- f# [& K, u6 c
其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。
/ ~, o" H; k* {# q( |& J8 w
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。
# f! D5 a2 e- g3 O
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。
) Z2 O. [5 p. t* E) L: D/ y0 W$ S% J. m- ?$ s$ v
当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。 0 S! X4 W# G( D2 _
检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出: ( p: v; f( j- H# E S1 K
+ R+ P, p. o$ c& g6 B. w, @
2 {; ?# P! J2 ^$ H* X" {式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
2 c# ^. |9 A9 L' S6 ? |