本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
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& G. O( [& v, j& @; N* n' a. ]在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。 4 D4 G' T9 ^1 n5 Q. b; V$ g
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接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧! & j% I; ~$ Q0 }8 u
1、确定系统规格
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最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。
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最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。
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输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。
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输出电压:VO,单位:伏特。 / a- O+ x/ d' Z
最大负载电流:IO,单位:安培。 7 Z: U1 Y; R2 A7 ]; k9 m( l8 u
输出功率:PO,单位:瓦特。
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电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。
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2、直流电压范围(VMIN、VMAX) ( J' W6 A4 j, l3 R
最小直流输入电压VMIN
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其中,
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fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX
3 u# n# b- ^9 @& D. |- ^3、相应工作模式和定义电流波形参数KP
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2 o& W+ R% B& h( y! }1 ]图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; n5 E9 h w5 Z7 e' Q
3 T: @' k, q: G6 ~! ?' I5 }% p/ n其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
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当KP≥1,非连续模式,如图2.2b; 2 L/ B2 u+ U' d
在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。
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4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
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* R: n6 z% N( f5 {反射电压VOR设定在80V~110V。
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连续模式时计算DMAX:
- m" s7 ~0 O& ?- |5 p非连续模式时计算DMAX: 2 x( x5 v4 E, c6 x* d$ ]
其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。
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5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小
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& k A Z2 P; E8 X: E% v选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:
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. Y/ z3 A: K, D( |; l; K式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。
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6、确定合适的磁芯 ) p/ |# a/ V5 U j) O$ M
实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。
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传递功率:
7 j+ Y6 |2 y3 {6 m) _: @5 n电流密度:
# [4 S4 R# c. I+ {; Q4 b绕组系数: 9 { j ?( t# I9 d# y
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。
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图2.3:磁芯窗口面积和截面积
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7、估算DCM/CCM临界电流IOB & Z0 H2 w B$ r. E
& ?- E0 ^$ c! R* W0 e8、计算初级绕组与次级绕组匝数比
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. M0 N; z3 d. C. O8 I其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。
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9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB: ( j: S8 q- C; N3 T9 [9 `- a
10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP: ) e u2 k9 x7 V5 G/ F
11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: 3 I' C' J1 w6 w% q$ i
12、计算副边电感LS及原边电感LP: , Y, ]( B) H' w; B- X
1 y$ ^/ S0 X& x$ h由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。 1 r" `6 j6 @: J N
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。 / ? r" I+ o0 [! H' X, S
14、次级绕组和辅助绕组 ! x/ n- R+ [, |/ p# ^) @2 L& Q
初级绕组与次级绕组匝数比: 4 Z0 v5 S7 z5 Y* P
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 # u2 e8 F! n! B# H
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
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辅助绕组匝数 * ~6 S. f$ t0 Y
其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压; & X: G2 R# v& s. @
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。
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确定磁芯气隙长度: % i: R" [7 M# w& m
' p9 B% |# s( }- M# ^3 R3 y其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。 W" b1 }6 {8 @
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。
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15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。 . k7 E; F8 I" E3 ^
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当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。
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检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出: . V t) N( _1 V B0 ^6 L) [
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式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。 1 G. p* |+ U. q
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