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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 ; g; H* }7 A1 ?' m" B$ o
' }# f* _# q% v/ c  E" P

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。

, N+ w$ h4 T6 w! T* {) m8 z) ~+ h
$ ?# v/ p6 q! L6 s
% k' e8 @% y2 w( V7 a( M

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!

; ^2 c; K# u$ D; N! D: S7 R) O/ S

1、确定系统规格

7 M! q" {  Y& S' u
- z) [) S4 d- [' S* k) m& ^

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。


$ V: O# S3 M3 x

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。


6 l& _5 p3 x3 _: }/ g5 _

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。

- S  r8 W2 ?& m' e

输出电压:VO,单位:伏特。


4 f" ^) m$ B2 h8 }4 K  G

最大负载电流:IO,单位:安培。

' a4 i& }, _1 J, a/ x# b5 J

输出功率:PO,单位:瓦特。

0 f* Z: f, Z: k3 B) h. `

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。


4 \4 o$ _! h0 M) d
% [% T2 a, S. Z+ q! [5 G3 k
: N$ y4 c7 I7 f3 Z

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)

1 d; h( N* x, J, G7 ~$ ^3 l: M

最小直流输入电压VMIN

  M9 s( E0 B9 L! }
+ x. V7 f- C1 g. ]! Y; p, F- s

其中,

2 q' v9 Q/ `& e+ q% M

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX

& W* v9 P# T1 I1 U4 d- _

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP

8 n6 z1 D( N5 [3 k1 F

5 }! |, s: H" Z. J0 ]; {. W

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;


, w5 D' Q$ {7 ~! b) F% {- J

4 L) R4 v5 q9 E

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。

9 j3 v# @  s  C

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;


8 x" z4 F; \5 y4 i# x2 m

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。

0 P; K8 V  E2 {1 Q

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX


; n+ H( |+ N+ [) D$ G1 Z0 v0 a  K. @% }% X1 f5 |! s% c

反射电压VOR设定在80V~110V。

) m4 O$ V' v* M; h/ A

连续模式时计算DMAX:

- b& S; j! Y. b, [$ e# Z0 y2 Y/ b! t

非连续模式时计算DMAX:

" ^8 }0 o+ I3 M0 i9 ]

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。

; W7 O6 l; [! O& `8 U8 L' d

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小

! Y* Q" c) w) Z, l, B8 n$ k! x

+ |* a+ r) }* S- N1 p6 r" X

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:

) R% w$ w' `3 }! s

6 s% R* S" \: u  T  m

# j$ |' H# U5 I6 T  x* L) Q0 y4 F$ j2 t9 \) p) z* ~, G( z

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。

" x+ X9 P+ f2 |" E' u. H3 R

6、确定合适的磁芯


7 [, ?+ [; k6 c+ D  d$ ?6 m

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       


: Y! e8 ?9 N0 e

' {, I$ A+ ~4 k( ?' S5 k4 Z+ g

传递功率:


( P5 A  R) I- Z- O, i

电流密度:


6 @, ?/ n' O* N+ b8 B+ o

绕组系数:

. P- x. m* a) ?4 k4 W

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。


3 r( o0 I/ ]6 y3 C- ~1 L. B- f

% D0 Q( P7 H7 g: s: i$ I9 K. u

图2.3:磁芯窗口面积和截面积

6 Q) _" ~% t6 m

7、估算DCM/CCM临界电流IOB


5 n# Z5 F& L% l( ^" c2 {4 f. J- Y
7 K3 m) Y! R% m$ r! S) W, N

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比


- E1 {* r+ I+ u4 G3 h) w; m- b
9 f) [5 O% Y- n$ A- w, C

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。


  j$ h/ E8 V0 P. A

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:

+ M8 N* k9 I* l

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:

' B" V: w1 g4 ~

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:


* w: E9 @' J) p$ L

12、计算副边电感LS及原边电感LP:


" d2 E) ?/ Y/ N6 i7 _2 v  u1 y/ b


2 w/ i: Y& I- B; P: m- m4 u1 j

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。


4 \: E! A' f6 p# ]

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。

) J6 I% z+ v! |2 E6 M4 _# D/ Z

14、次级绕组和辅助绕组

, ^$ t! a/ n: z3 ^+ ]9 ]) U

初级绕组与次级绕组匝数比:


; h2 u1 |( x6 b' _' _0 n2 u

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。

, D8 \! \9 T9 n1 r, M+ Q& g! r

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。


) l8 k8 ]. n$ U. \, r+ y

辅助绕组匝数


! j$ }. V) S$ @5 }  J1 j

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;


1 p% z) G8 a1 W" R& l  s8 B! Q

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。

$ l- D. y- e- T& M& {! Q

确定磁芯气隙长度:   

+ |9 d7 `: V. J6 G

+ O, }( @1 P& h8 L! A

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。


' d  i- l% M2 s( J, l$ P3 g

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。


" D8 S' A5 |& k6 W  \: E

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。


7 ^. v6 z: f, K& P
; q- H0 f, w( {( q" N% Z2 w

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。


9 z& X# w6 Z4 }! o

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:


" Z) U9 r7 }3 P: {

" U1 _  @6 x+ r* \2 S
+ I; @) x, |9 E) M

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。


, S; H, K* ^( _9 \0 Z5 ~

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