本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 7 ^. S0 F1 R5 ` ~2 {$ U7 V
) l) U3 o3 W8 {$ o4 V在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。
( A) }" y1 t$ e5 j9 `5 ?5 ]9 L& ~5 H# g2 c5 w3 R. C. o) U/ |
( \7 \ W7 ?3 y
接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧! * H7 t! C# u" ~5 @" m3 j# Y7 [
1、确定系统规格
5 w! B4 h9 @5 h7 {% g; L. H9 P; g2 k. _
最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。 / U" d, w9 w" h1 o
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。
! o( D1 d5 w! Q/ B7 o
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 ; g) G8 M( v0 ?
输出电压:VO,单位:伏特。
' H# ~" C& ]5 e
最大负载电流:IO,单位:安培。 & ^ F& g# B5 q( X% y/ u
输出功率:PO,单位:瓦特。 0 f, a/ ~9 w* d, x2 o J0 U, Z
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。
9 V+ G: b6 q( F; d4 r
# Q, m; s, W, g
" [% c" X6 L# Z; }8 r, n2、直流电压范围(VMIN、VMAX)
( V: z% K5 T, ]6 Z( _* P& E6 R/ S最小直流输入电压VMIN 6 W5 t, C ?! B5 y
: z; V: s+ H% a其中, / ]) x8 x [, N& @! x" y5 b+ ~
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX
2 {" G% u3 ^5 N, Q0 u3、相应工作模式和定义电流波形参数KP
/ E1 b* X: v* Z' M# n- P" P . r3 @ H) B0 R4 P! j# T5 v
图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; & a) X/ }9 U& E& T, f6 h o) o r* T2 [
/ r% p6 I' }3 y2 M+ ]8 `, G1 V其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
7 |: z1 r; b* T
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b; * S- j8 ^# j& [9 h# W2 b
在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。
: _# l' ^5 b3 Y( e" a, V/ W9 n2 e+ }
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
0 S# y+ \6 n: b# j9 C8 [8 V; m" E n% M
- M/ a* l! V _反射电压VOR设定在80V~110V。 2 E+ f7 P: A/ l4 U F
连续模式时计算DMAX: 7 E, J$ V' ]# c# x
非连续模式时计算DMAX:
9 v% x6 r4 N6 N. f其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。 6 M/ R+ s" r" I0 f) E
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小
; }- U* t. ^4 {6 u% @) t3 k% H5 O. X r: G
选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:
" l: |3 ~! X. T9 V7 I1 ?1 N [4 V B. S/ y8 M' E' R
5 x. Y5 Y. T, S5 T( y1 p
7 I/ D! G5 p" k+ l! b; R
式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 " {# t% s5 {2 ^0 m
6、确定合适的磁芯
+ ^; |; x8 ?, v" \$ \' _& O+ q2 S实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。 6 t4 `$ y+ d4 l8 R7 z- E. N$ ?
0 e7 q- ]( |, P% U
传递功率:
% @. n. }" @9 n9 C电流密度:
; p. r2 V3 w" G- J# P绕组系数: : h+ m0 k! \7 ~: p4 K f
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。 ! V- e7 z& e, ]- b1 q
% X0 g" F% V u s
图2.3:磁芯窗口面积和截面积 $ H7 w8 G$ U$ |/ s) f/ i5 K" I" Z
7、估算DCM/CCM临界电流IOB ( Z3 e5 Y' ?( M# M) k5 r' a
+ r, ~" [" t [( q* T
8、计算初级绕组与次级绕组匝数比 , }+ {# z( E4 |3 t8 S8 @
6 ^; A* ~# x$ v2 P8 H
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。
% `/ [4 g8 C! C- W
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB: + f3 M3 A6 Y# {& I6 Z/ n* Z8 B
10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP: 2 u# N; ~" u+ Y( W- J6 p- j
11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: 7 \. s) `( {, u4 D& c1 ^
12、计算副边电感LS及原边电感LP:
# e: t2 K/ |! X: u% X
6 q% a3 A) L, F6 T7 f! V* L0 e由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。
1 q: r! V4 R3 \* { h- Y. D
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。
/ Y8 C% c6 [) J) f1 o14、次级绕组和辅助绕组 & l* I/ z, U( H/ s8 q
初级绕组与次级绕组匝数比:
! D- f0 l9 W+ A/ R/ O4 l其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 # c" u! M% d( M
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。 $ u+ o; R8 f# \: E8 |
辅助绕组匝数
8 v+ y+ i1 K/ j& @' K+ g其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;
" |9 F! ^4 K- r2 I7 D8 L S
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。 / j# M. M! x, g$ G# P. r7 O
确定磁芯气隙长度:
: J% E L. D+ }0 E$ c, `3 B
+ y' R9 A( m0 P+ ]. i: g1 Z+ p$ h其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。 8 z- Q0 i7 F M: n
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 0 c1 C( I" ~; [; _6 k$ Q+ C0 M
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。
4 W. x' m$ I2 s3 b8 _
' `' h; y m$ a; @) p# N当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。 9 G' }' p, g- ^+ G& j5 o% C
检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:
9 R. ]" r) i+ g. r$ M2 l) V3 B
; a, P8 ^3 W2 e% {9 F6 z
8 ?- k. ~; q( g. Z3 P式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
. r" J! X1 G- V# Y( I( U |