本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 ; U4 O g( P- N) i- y$ W" h" D
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在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。
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. w1 L* m6 E/ Q L- {4 n接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧! ) w1 p0 D& W0 ^ F1 ?0 q
1、确定系统规格 2 w1 B$ C! ?3 q% @* \4 z! p1 k
: O; d6 W) P2 E( ~
最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。 7 ~6 e( F5 s0 J! |5 b7 O
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。
4 U& E2 w6 F! P. A
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。
# p/ w$ b8 f' g9 n S& K0 L* |# Q) H
输出电压:VO,单位:伏特。 : k U7 ~. F" M
最大负载电流:IO,单位:安培。 5 K6 }- Z8 A9 V/ C* A8 |
输出功率:PO,单位:瓦特。
- d5 o/ K3 f% S K
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。
: b- S+ N: _& z: W( b
: a7 a* H# H' Y; h; b6 D8 |) m
J- `9 z" @4 I* A$ p9 S2、直流电压范围(VMIN、VMAX) : o; i$ e s. H) M. C# p
最小直流输入电压VMIN
5 F+ y* `. s. q a9 ~5 X
- y$ ?7 f& c8 `+ x其中,
9 w. f, u! H5 Z, c5 _* W5 s
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX
% @, j: y# r" a0 A+ t, H5 e# e/ L3、相应工作模式和定义电流波形参数KP * Q& @# M: a6 B6 y- T4 q2 S
- L2 f/ \, r5 B4 E2 w* M2 a f图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a;
% Z/ |- l! }% \' J$ ]* _+ c
& V4 V, k9 m! Y9 Q# s- H. |其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
7 l+ v# Q6 O' e9 N. v% D
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;
6 i& i+ r9 ^6 S5 y1 v( J# M2 J在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。 / x4 q( l5 A+ h+ a j Y7 ^! c
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX 1 L1 ?4 U/ [4 L4 w( y( w, M, ^
) o& }$ v Q' d+ U" ]( ^1 |- I d反射电压VOR设定在80V~110V。
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连续模式时计算DMAX: 2 q; g1 L7 n6 l2 K( d9 F
非连续模式时计算DMAX:
- A. V2 W1 }$ g: u4 ]+ r" g其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。
4 @5 q' k/ e% U ?9 x
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小
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选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: 2 `* B2 M' [. H" u# K8 y
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" E7 B* Y# j- X- H* c0 h+ S: e. a& Q5 N0 S
式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 $ I( r' K$ y1 v6 B5 e8 F
6、确定合适的磁芯
% m9 T. v* T/ s4 C1 D实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。 + Q2 U0 @: }; S0 ^+ \+ V
3 l n( ^& a- v+ K4 b1 c& _- M
传递功率:
" E0 o. ?0 \( N& f电流密度: : M! V ]* E+ v0 M9 D* k
绕组系数: 0 j+ C4 x% i% @& a; D" d/ l
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。 . K9 s1 S* L4 y+ ~/ t0 T
, S P$ K% q: U8 t图2.3:磁芯窗口面积和截面积
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7、估算DCM/CCM临界电流IOB
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8、计算初级绕组与次级绕组匝数比
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$ P) d1 m) p6 k6 Y& I. K2 y% G h其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。 * K3 }) n, c( I
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:
# N% N2 I4 k; J: z( X+ R# V" R4 X$ b10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP: 7 B2 E$ n. |$ O* N
11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: 5 N/ {5 K- n6 o4 x% T
12、计算副边电感LS及原边电感LP:
8 O3 H8 E; r2 O6 S. c0 t; D7 X6 y$ d( ]! f' ], ]- A6 w0 ?' \
由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。 ! T0 }: D1 C; ~9 J6 i& N
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。
( j2 U8 u7 F# L. a: C. T9 W: d$ V14、次级绕组和辅助绕组 + [& j: T! s/ r, z. Q% h6 v' R4 V3 N
初级绕组与次级绕组匝数比:
0 o$ F2 \5 b. ~8 E- g7 u; x其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。
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然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。 9 T% R, P/ |+ m
辅助绕组匝数 / |. G! b' x( n% y" {9 |, P2 _
其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;
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考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。 ; D$ e4 F, f& q1 \8 x
确定磁芯气隙长度: 8 o6 J6 e) l! V
+ E) p* l9 u8 C/ B6 m其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。 7 e* }# ^. Q6 E5 k9 Z/ L
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 ) F( b \8 G1 l+ m" m7 P& {
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。
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* W5 Y' v/ C& t$ C. K: _/ {当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。
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检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:
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式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
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