本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
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在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。
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接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧! 7 W1 b. g% h! z3 C x
1、确定系统规格 # X" P1 C2 J3 n$ A% N
9 M' v+ d5 I! Y5 s最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。
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最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。 # ]% M3 d0 w: c+ i1 G
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 . X9 T: N, y; k* m1 U
输出电压:VO,单位:伏特。
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最大负载电流:IO,单位:安培。 8 O! u# z/ T# ~, m3 D2 P
输出功率:PO,单位:瓦特。 $ `+ W1 x( g' U m* l
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。
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1 b& M* V! ~# W* Z' z2、直流电压范围(VMIN、VMAX)
2 \5 l) S7 z; @& P* m最小直流输入电压VMIN
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! X$ R2 S. b/ t# }$ f0 O. z1 u其中, 8 c9 Y. z: ?, ^
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX
4 F- k ~) L/ m8 t3、相应工作模式和定义电流波形参数KP . l Q; v/ v7 h w4 l" T
$ h- a/ w' P$ y- Q. \) {, ~3 p* R图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; 0 H4 `7 K& c/ k, B
. j% _' _* {+ z( X; Z: N& S7 j其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。 7 ^/ b* ?! l: ?9 k7 n6 S" h
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b; $ I1 Z3 p! y9 x d$ f& q% B
在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。
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4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
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& }6 g, O8 a/ p9 O反射电压VOR设定在80V~110V。 ; H5 D* g) h, z: |% f
连续模式时计算DMAX:
+ x8 C& C" m& T3 n9 b非连续模式时计算DMAX:
, m' L( [" \: l/ Z0 _% Y2 [/ g其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。 + w: V# g+ R: `1 G4 x9 ]' s
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小
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" x0 z4 e2 m+ A0 W8 K) l选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: * z( l% D1 D4 ~. X
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& e1 n1 L2 p5 ?- o D6 r d式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 ' c, l6 j( A. t! B: k& M
6、确定合适的磁芯
2 |* N9 [# r6 P# Z实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。 I3 i2 ~; _9 S1 I# M8 r
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传递功率: $ p8 t5 i4 Q/ z2 M' T/ ]3 X9 h
电流密度:
- C4 n) f! L2 h# ?# ] B' X- Z9 T绕组系数:
9 ^3 J. z& V$ J6 `1 c: _式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。
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1 R& D! C0 N( e' r图2.3:磁芯窗口面积和截面积 0 x# E. e9 X" M: s0 _. R
7、估算DCM/CCM临界电流IOB
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+ p# y! m8 T/ {( |8、计算初级绕组与次级绕组匝数比 * A+ w4 n# K2 i0 l* N3 |$ P
* P0 [% K- `8 t" u. s1 h其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。
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9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:
% k/ g4 {; P5 s, l10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:
' f0 t5 O0 n" {# x# {6 r* s11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: : K+ J1 J. l k
12、计算副边电感LS及原边电感LP: 4 r5 _9 G+ Z# R$ g' ^5 T& J
3 \. v% P" N6 F4 W- j由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。
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13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。 ! \% s7 ~9 }- t) W) u2 E
14、次级绕组和辅助绕组
4 _* @, D* l! E# [0 I! U9 j初级绕组与次级绕组匝数比:
- B1 H8 e' h8 q" q5 ?% ?! ~其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 8 a% S% X; G8 Z' u$ E" Q* \: o2 \
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
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辅助绕组匝数 8 ?4 p! u! I' A& H5 M0 N
其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;
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考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。
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确定磁芯气隙长度:
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其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。 $ {# |1 u) p& M0 ^: W
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 6 P: m$ [0 A1 a- s
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。 9 R1 G+ b% X) M! m! C X# ~
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当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。 6 F' O# R6 ^9 @5 a2 H# W
检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出: , r% F/ ?' l% P
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* p0 e9 l: f% L: L4 S, A式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
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