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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 6 x! _9 H$ Y( b3 J
  H0 n5 v/ [# s" |

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。


" y/ d- X! _9 S# ~) C

4 l) a  e  O2 V) L7 ]
3 A0 G3 \+ {7 A& X

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!

6 s$ |# ?5 e/ n* D* \! @' L" D2 `

1、确定系统规格

. }5 m# o0 o. _, H  f
- T  L# H* c6 s  b9 C

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。

! v& f) S4 e/ u$ }: j5 Q6 p! b" x, [% B

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。

! [) L' |& y) x  v

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。


6 T" Y/ t( u- X; X  J. Y' z" {

输出电压:VO,单位:伏特。

8 B; N3 a" ~/ I. q6 p* G

最大负载电流:IO,单位:安培。

( s& ?: ]9 D2 c* c0 N1 D7 p

输出功率:PO,单位:瓦特。

6 Q% X: {$ l+ Z" ]0 A# F

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。

& Z0 `; E% s( T6 ?

$ g9 Y  I5 M3 q8 g
/ ~4 n7 S& b4 u0 S' v9 `

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)

5 u* n+ p- y2 ^1 f& h

最小直流输入电压VMIN

+ p) \" l1 l0 Q/ _. f
* `  a2 W8 Y% R2 L7 e. v7 ?3 x$ }

其中,


  @1 s- t, j" U. f

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX

3 N+ G! U6 q, M' K% ^

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP


& ^9 l0 J' ]4 |" }% U9 Q% R: O: g

+ M/ i1 r: V1 H! G

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;


1 P$ n0 g2 U, I' v. C* ~; f

" r+ e) W1 g2 V& E0 q5 V& q

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。


, b0 n9 a5 t! {$ l  x1 w" Q

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;

8 M: w! s3 V% |! u+ p* V- p

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。


3 z( `5 [* o! m  C& {' Y

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX


. B  x; ]0 g% y7 O0 E+ x) \* i3 z1 |0 Q) P( t  \3 T

反射电压VOR设定在80V~110V。


/ }6 r% T2 D$ u2 J5 E

连续模式时计算DMAX:


* {* z* r" }- B

非连续模式时计算DMAX:


/ ], f8 H6 ^8 z. e* @

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。


7 Y$ r6 D! L8 U  G) V6 K$ F: D9 ^. [

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小

$ U* \5 U. |& [
6 o" h) g* n+ H& e+ {7 N

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:

1 E* W' y1 L. c& Z; m

% }* B, \5 L0 j7 }& d6 e7 f# y

7 H4 Y, ~/ }# U5 W' @3 E: [; H. D0 q& h& a

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。

+ Y7 d& q  e1 R5 C/ E) D' `

6、确定合适的磁芯


7 P2 l% r; M, i1 z" S2 K% ]/ r: _

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       

  h  i) d  K  t" C2 G

+ l0 S0 F! z0 e  y

传递功率:


) V" i7 W/ ?# J

电流密度:


& y6 j& J; ^0 w* y: L

绕组系数:


/ d6 W. K' G3 B& H

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。

+ f9 m' d; V3 B+ M

" D% E2 Z( |, O

图2.3:磁芯窗口面积和截面积

6 }. J$ `- d; n8 G/ g9 l8 V

7、估算DCM/CCM临界电流IOB


/ j. K. h2 j3 q1 R' P( }" k
' O0 d1 L* s7 L5 ]. N$ W" z: [6 b2 W

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比

, O9 \( f% y& a( M+ d- s
' U1 k2 r/ R, k# J

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。


1 o1 G& Z4 H' e+ i9 B/ o- o

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:


! C! }- n6 n, d; Z3 [+ N

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:


9 c8 Y  [! a0 @# u6 l' i3 W) Q

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:

7 n! }' d+ m2 Z& R  e0 ^5 b

12、计算副边电感LS及原边电感LP:


# n" ?# e" p& @5 T9 c0 `, C$ H- r

# e, O9 a. x6 P0 f% z# Q" U

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。


1 u  [) L- W+ G' ^) F- ^

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。

0 a+ u" s$ q3 C: x4 F; @  m# g

14、次级绕组和辅助绕组

- E" r* W# E- n7 \

初级绕组与次级绕组匝数比:

+ [- B/ _( U8 E/ e( D: ^6 W1 n, ^  f# ?

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。

1 o8 h8 K9 ^' Z1 i; }. v* P

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。

7 o& R7 x+ R' b& b- B; h2 q

辅助绕组匝数

* Q, w7 d  N. I+ Q9 ?, e& _7 P

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;

5 j0 u$ V4 m' V$ u% j, m1 X; N

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。


# @0 F" t9 O- U: K1 q

确定磁芯气隙长度:   


. K( H: t. V/ O7 V9 Z0 P


+ i) G# U3 ]3 K7 k5 t' V

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。


+ ?) O  v3 ^- Q0 _5 a$ E: I1 d

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。

+ O- @& c$ g5 R) M$ D

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。

$ u+ l2 ^& p3 D( c) Z
/ _5 O; s6 o! [

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。

* d# Z0 l# L4 W/ K4 W' Q

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:

$ {9 k3 R( K3 [) y- ?& t0 |& Z

0 a$ C# \$ c/ y+ ^9 y+ h$ o7 G

( e  {1 A2 A; @& T! x9 A2 u

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。

3 ]) v2 ?: ^5 f  `- }

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