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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
4 |% v% J8 s  j2 k4 E/ C9 O
+ ^  M) c0 y" p3 c* P

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。

: J4 _% @3 n9 p1 |

; _  f3 u8 l! e! ^0 ]# \# R/ U0 z, T2 q' q

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!


. B; d  a/ L0 E5 t* ]6 @/ \! [" b. O4 h, n

1、确定系统规格

4 x+ _; A) \: @' b+ ]3 g
% V( u" j3 a) H0 l% g: N

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。


0 L! c; G  w3 p

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。

! j0 w9 k: i2 z" @

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。


7 L7 S7 a, n3 _& h; \) F) ?4 ~& a

输出电压:VO,单位:伏特。


4 R8 Y( O8 z/ U, x9 o0 `

最大负载电流:IO,单位:安培。

2 |4 W; U' E1 g4 [7 A

输出功率:PO,单位:瓦特。

' h" j% G) g7 ~/ {

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。


& l: E" _2 P$ O- z, T

# ]' A2 s. P5 C- t6 ~1 o# E* @# y/ T

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)

- A2 ^8 U7 v* [

最小直流输入电压VMIN


) L0 O3 q8 Z0 O7 X7 c

# \/ U$ m6 f% k; n0 Z

其中,

$ {6 C9 P6 \- b

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX

9 Z1 a3 Y# P( {6 ^! P2 P4 M

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP


4 [7 M" f' z  r+ ^. }0 \$ f

/ r- d  c$ U- ]: Q

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;

4 S  z* ~9 L3 Q* ?

) Y* K8 X0 b* H' G$ p+ X" ?

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。


4 k, j6 F+ y  d. _

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;


- S9 h* v, r( H) Q: `) [

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。


- i" j% t* ]' D1 m: h

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX


+ c& x5 S5 f5 x6 V/ ~
: z' U% B1 P/ D1 u5 O

反射电压VOR设定在80V~110V。


/ b7 t6 ~) ^# V

连续模式时计算DMAX:

( d" j' t" U/ J' i2 P

非连续模式时计算DMAX:


, Z# v9 K3 a& q, r3 T: r% s+ p/ u

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。


8 T6 f" F2 C  L: B6 F# V

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小


  |4 h3 d5 D3 Y4 b
2 `7 k7 E- ?, c6 @

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:

( N3 E% R$ a7 U( |


/ G5 o: r1 g9 h6 N$ j$ g
1 n" a' }% b# `- }$ a6 W% E9 @# O2 }8 Z

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。

% y8 B. A6 e1 L7 n

6、确定合适的磁芯


. E- r4 W9 q% i1 G8 |

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       


3 a- X7 z7 L! F5 f. l

' h1 `! T$ t. u/ F

传递功率:

% {, C8 Y7 L6 p) R

电流密度:

. F# G) x* K9 H/ n( Q( {/ [; s

绕组系数:

( z1 u  S' O2 ?) a) C

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。


2 \7 j2 \3 |4 N; |7 x+ n& F: N4 U

# `# H; ^/ F+ v8 A2 a% k5 l7 d

图2.3:磁芯窗口面积和截面积

/ m5 a' A$ @: f

7、估算DCM/CCM临界电流IOB


1 L+ R4 }" z! S4 H5 C' E/ t6 i0 K$ V. \2 ?3 i2 ^

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比

4 ]% E* B# ~( F6 A; n0 Q  Z

0 N( I" Q- t1 s) L% c

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。

4 u2 b% K2 L6 ]2 V6 G0 [

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:


# @/ P6 v- W% T/ Z' |# x

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:

5 N7 u. t" X/ l3 Q' D. F- S

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:


  d! q; D; x: g" P

12、计算副边电感LS及原边电感LP:


' y2 Q# D8 J) ]; I4 x/ X


, b+ [3 B  G! s& h1 s

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。

, ]; r, d* u; H5 m5 I# j; U

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。

. P+ `/ j- s% U7 v; h7 H& k8 j8 e$ B9 O

14、次级绕组和辅助绕组


7 G% @5 @3 Z9 X3 V. w

初级绕组与次级绕组匝数比:


" A6 x$ i& ]* p, D

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。

* _; C+ m7 J0 `0 S5 E$ H

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。


# T5 b# C% K( M

辅助绕组匝数


2 D" u* J- x$ W! \* n

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;


" k0 E% n3 V; Q2 o% s  k- ?  A

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。


" H9 |8 `+ [5 K

确定磁芯气隙长度:   


- V; N+ ?. H1 U3 R& b


' _; ~0 n1 M# U& p  r& d

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。


/ K- W: C) V8 l1 n$ c

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。

, d% U/ |/ i% [

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。

& v) u2 j& y' B

7 A4 `( C* n% ^4 x3 E

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。


) K# _; X# E/ J6 x4 V0 s6 `

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:

$ b0 z8 v3 m+ B1 L  v


* I: \2 E; [: ?: o( n
' _: t( h! |; @) g& o) I0 q) V! S

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。


% y! y" V+ o* N3 T# m0 n

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