本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
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7 a# h5 L9 Q& @6 m/ l' Q在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。 0 O' p& y) G1 V" n8 n! Q$ ^
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* L! ^+ b% \7 t/ [接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!
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1、确定系统规格
" F, R- r& q0 r) `" F
5 K$ p- G [5 S" x* G3 X$ j最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。 % Q9 e' f! U- D2 b6 e& _
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。
* s y4 \* W' Y- N- F& h( Y
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 2 z2 e9 p/ r! S' r: f, d
输出电压:VO,单位:伏特。
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最大负载电流:IO,单位:安培。 4 H. o/ b7 |+ ^' L0 `: j
输出功率:PO,单位:瓦特。
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电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。 + E( Z' ~( I, D: v# V8 C2 a
7 H4 ]5 J# R: x5 E; n
H- \ a' h2 \' u
2、直流电压范围(VMIN、VMAX) ! ^/ f+ g+ f+ [- A% a/ O
最小直流输入电压VMIN 7 ?5 l) k1 j; ? O
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其中, . c1 b0 S8 J* V+ Z' n
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX / w4 t8 @% p2 E$ J0 F+ B$ ~9 s9 u
3、相应工作模式和定义电流波形参数KP / m$ x. \2 W+ m+ V
% J, g5 T" I. p( X/ f2 ^7 k1 x图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a;
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其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
8 ~) [2 d1 L. u1 Z
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;
: p+ o* c4 S" @ H1 X在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。 - Q2 K. J( u5 X L
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX 8 R; a- o" h% H* f
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反射电压VOR设定在80V~110V。
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连续模式时计算DMAX:
6 x; S0 o+ r# T( F/ ^非连续模式时计算DMAX: ( e$ l0 t# L& w1 @! h$ O# m6 o
其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。
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5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小
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选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: 6 x1 H( I! ?/ c: Z
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* ^. t7 J+ T5 G# R. u! C3 m
; |. ?; J! X4 M `式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。
* }( q; L. T6 g& m2 v5 C0 D
6、确定合适的磁芯
, |! L, j$ o0 h: j4 W' A% r% H) M$ e' w实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。 + e7 D% p9 i; X
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传递功率:
' o1 u% ^1 k- F% R电流密度:
. y+ ]6 {/ Z) w$ \( t绕组系数:
9 |$ T u, B$ q# S+ k式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。
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图2.3:磁芯窗口面积和截面积 / B$ d) S- c( Z
7、估算DCM/CCM临界电流IOB 8 A' n6 ?4 b; g( p, `- L2 U
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8、计算初级绕组与次级绕组匝数比 C* D5 B# P7 R( a& ^
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其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。
, d P; E4 ^6 \4 j% a7 R, m- R
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB: ) n& g. \ @3 w
10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP: + G8 y; P' i6 X
11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:
7 _% ?( Z% j& ^- h$ G2 f. L12、计算副边电感LS及原边电感LP:
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由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。 ! n; X z1 F( N) P5 Q" w
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。
9 I& U7 z$ k9 c3 p: }14、次级绕组和辅助绕组
$ P3 H) V% d4 N8 ?$ V初级绕组与次级绕组匝数比: & T3 U8 R7 X4 p+ d! p" I+ v+ u s
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。
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然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
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辅助绕组匝数
5 z. y8 X7 Z; l; P* E y/ Q其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压; 1 T3 d( d, z" P3 c }
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。
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确定磁芯气隙长度:
7 ~, [8 E- m% P- x( p2 w* Y9 k ' b' {: D7 _3 F9 r6 U6 h
其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。
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通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 - J9 o* d# K( V7 B5 W. Q% r( p7 Z# Y
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。
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% n7 H0 [( J% ~ L5 w) d当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。 + S, h. ]( `+ g) ^) o4 f5 K* K y
检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出: 6 D2 K- h0 G% |
, g! B/ O* Z- R) }; k
. L. \+ O+ r8 F7 M式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。 ) q/ X- Z2 j1 i/ V
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