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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 . Y' V& \, D( ?; z' `5 k4 l& s

! F8 N9 s5 j  g6 x! @' m$ r

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。

0 Y7 }" X( q0 L

( ]% e% b1 x' O! i
* c, O0 ^% S1 [% V/ D" {( _) j

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!

: U2 @, O1 q  q5 }: e3 x& Q/ C

1、确定系统规格


( E; p& }, e2 q; h) q0 I7 `0 R. A
1 T' D7 e1 K' T( T" M

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。

1 Y) m' k, E* C3 R

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。

% V! L# R- B% w9 K; c6 z

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。

8 k, I+ Y& r. N# }

输出电压:VO,单位:伏特。

' e3 z/ \- [2 }

最大负载电流:IO,单位:安培。


" B+ n9 q. ~9 F% C. S

输出功率:PO,单位:瓦特。


& @% E5 W4 _1 R7 f; A

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。

. Q- U7 ^$ |8 K: g- B
$ q+ O% S  p# q0 ]
6 t5 Z* G5 W' h5 |6 x6 |, p3 J5 J

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)

& d5 c$ Q" [. t

最小直流输入电压VMIN


! N/ O' l; z. X4 T
! \0 z# O# o% y( j

其中,


* h* e4 }6 W( M$ t2 [% }

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX


5 ~) {7 _& {4 V# K+ D) W& ]* A

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP

9 ?; k6 Z+ i. s9 \+ L; D
3 ?; m6 [/ e: l) Y( D) m2 s% t( E

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;

& F5 j1 i# \, b6 V7 ]

: }# a( d; V5 a2 w( s# W

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。


- V: e8 T/ B! k# v

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;


4 @  o6 P7 @4 F: [+ [

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。

: S2 B- e6 d* q; q$ I- w

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX

6 ^7 d. x% r7 H2 y5 ~
! n' Z7 J/ C% T) T9 `6 r* Z3 R

反射电压VOR设定在80V~110V。

; R0 u/ W$ q  }! j  s6 H+ T8 }  u

连续模式时计算DMAX:

! h, @6 X6 S( n0 _: c! G) v

非连续模式时计算DMAX:

$ W+ `, K$ E/ i1 R0 P& j3 G6 T

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。


+ I2 k% i3 ^$ c9 m) w# h3 N6 J: M) j

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小

: J7 ?( V! J7 g( l5 @
4 w! w- D7 }* ?: b

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:

2 D5 F5 J! z/ z1 B: V6 t" }8 e

; F" {( f) U$ m
  `* B! y: @3 \4 b
2 X! P8 d8 u! O5 \( B! H3 b$ d

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。


$ i& O4 u7 e: h* F9 E

6、确定合适的磁芯

4 b5 u& |$ P8 `- {7 P0 w& i8 J

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       


  a5 v. p, b0 m0 a4 i4 `6 h

% M% j/ f. V  W, O6 s+ Y# v

传递功率:


  @, ^' U+ J) F! i6 l' w% @

电流密度:

* J8 V! r+ D% L" C

绕组系数:

* {6 Q) W5 f' F+ t% y' L8 e

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。

1 a$ ?. \0 T/ T2 `: J

: `7 S. O$ Y4 Q

图2.3:磁芯窗口面积和截面积


  s8 }/ E: Q! J& T

7、估算DCM/CCM临界电流IOB

: E7 z' ?+ G& J( E# E# G: e
* k! V0 O! y. r9 W6 V

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比


: X* q  k1 a& M8 f7 [. Q/ J! P2 d2 m1 H

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。


. b3 R8 h4 o6 Q( `) p

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:


, Z" b) O5 m3 A* m& L  m8 p

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:


- U2 x' I& ^/ E: Q+ s* \6 |

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:

4 w  V$ X! C; x. l0 r# ]

12、计算副边电感LS及原边电感LP:

! Z; D' I8 D. I% I. X

) f. l" |3 l% ?+ a, n: R% G- r

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。

& i/ M  \6 X) G& G; H4 l5 u$ [

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。


$ L' Q' w! K/ I, Q

14、次级绕组和辅助绕组

! \2 w9 g7 R' y6 v5 L0 p6 F

初级绕组与次级绕组匝数比:

: e6 l! Q7 s" h/ U

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。

$ c7 o0 f7 |1 I: J8 P

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。


4 n1 p' p5 C6 I5 ~4 R. t

辅助绕组匝数

1 f0 D3 ~7 C0 k2 ~; y

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;

: }+ d4 l1 q3 H; y

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。


+ L9 t4 m* ]4 Q  i0 J+ \

确定磁芯气隙长度:   


3 ^0 ]3 B' {! r( [


( [& G+ \7 [7 v; t

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。


3 n  j3 L2 N) U8 T2 i8 S7 L

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。


3 \2 V5 K6 O" S; v0 b

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。

/ {* U0 \6 Y, `8 R+ f

5 a; T& O0 }/ Q4 \) \# I5 L7 a1 U. Q

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。


0 d' f+ v/ b0 Q% F7 k  F# f2 F

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:


) W4 Z5 u* F6 u7 o  K


$ i( D$ \7 e* L" q$ P5 p* d3 e! ?3 b

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。

0 W& l, w1 Y: O& W; G

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