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基于TT9932 12W以太网供电(PoE)解决方案

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发表于 2022-4-28 11:08:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:23 编辑
! g! ~: c* [1 T& }- x& ]: e$ u' M: w" ~4 b, K
本文概述4 E/ e* f/ l4 a/ f, W* t2 \) Q

' J7 z" K& A3 E% d# L! L6 }) ]随着WLAN、VoIP、网络视频监控等新业务的飞速发展,大量的Wireless LAN AP、IP Phone、IP Camera等基于IP的终端出现在我们生活周围。这些设备通常数量众多、位置特殊、数据\电源线布线复杂、设备取电困难,因而PoE(Power Over Ethernet)供电技术应运而生。尤其是伴随着网路视频监控系统的发展以及未来5G小基站和CPE设备的普及,PoE供电也将迎来新的发展机遇。- p. v' f9 [2 c( n3 ^: v- J

本文,我们将介绍基于TT9932 PoE 12W 工程样机测试报告,一起来看看吧!

2 T5 W! J- a- z

1、电路参考、PCB、BOM list

2 K4 Z" O5 C$ h3 F- Q

样机采TT9932最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;POE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。


2 U% V9 z1 x& L0 Z

( e, a% }( c) K
4 B" E" `5 P& z! [! [( u" W1 j

BOM List:

3 T% u$ Y* w& C- W' k

变压器参数:


: ^- t! u5 M2 S7 j5 U

TT9932:高性能DCDC控制器


( O7 F& ]( A$ C" P

TT9932是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。


( E  H8 z8 O" k5 N4 y; f$ d

特性


0 p) m: ?9 M! |- ~$ B( s; y

● 较低的启动电流 (大约 7μA)

● 欠压锁定功能

● 原边控制模式

● 轻载降频,降低能耗

● VCC过压保护

● 输出过压保护功能

● 输出短路保护

● 内部过热保护

● 软启动功能

● 峰值电流控制模式

● 内置LEB电路

● 过载保护


% H$ o9 C0 x" ?! t0 K

基本应用

& B& |: t5 L8 T8 @7 X

● 视频监控

● IP电话

● 无线SP

. Z8 @/ A: X. p$ I2 D! G4 v

管脚排列


, v/ W/ ]  Q! X, a* o# a& ?4 R: K. i

管脚描述

. Y$ r: Y8 g+ s5 O

典型应用


$ W" a2 h# J% R
' Y; ?5 g: x# Z6 i1 |. W$ H2、样机特性
5 \6 |" Z% N/ e! s+ u8 n

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。 样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。

9 t' H2 i8 Y0 o3 t5 T3 _

* D5 y: ?1 J( D

注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。


% x) a7 j9 S6 @4 u# ~8 @& \

2.1、协议功能测试


1 F; z9 J$ i' n7 _

检测分级协议测试


. k& k  I1 l+ U& u6 ~1 q# V, I5 s

CH1:VDD-VSS CH1:VC CH2:V_Drain


$ P8 X6 h% W5 y( e

2.2、DC/DC 转换性能测试

, ~5 y- Y. ^; T6 a# ~. O$ b
3 T7 q2 W. z, [8 q/ e, d" H

DC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。

& ~& _4 N" {, b: k, D: a* z6 M

2.2.1、转换效率测试


" c+ [  e9 S5 V3 f, i

2.2.2、负载/线性调整率


) ]$ f' c' s) r4 r  V5 T

2.2.3、CV下恒流点测试


: @4 p# Z+ ~2 l# @* s; L

2.2.4、动态测试

/ c) J7 ?) c3 |( H

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

. V# u" m: \( k: D) T

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V


" U$ ?( s1 i7 b; h& i* q8 c

2.2.5、输出纹波 输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试

3 w  j8 W  T  T; ]

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

. V! I! N. Q. q& D* S0 `. R5 l

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV


* Y( H0 M6 {6 B1 A. e1 T8 Z

2.2.6、部分工作波形


3 v- ?) a3 q4 J6 q% E  \3 `3 l. l& z

CH1:V_VCC CH2:Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形

( W, s1 s8 j* n1 `+ [6 D

CH2:V_Drain CH1:CS

VIN=38V Iout=1A


# h7 h% M/ @" f. g# _

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A

. _. b3 r7 J8 g

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

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