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基于TT9932 12W以太网供电(PoE)解决方案

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发表于 2022-4-28 11:08:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:23 编辑 1 `$ ]4 }2 q+ [& r* X. r8 [

& `7 `  w  M( ?( Z本文概述/ E' R1 h% g2 K6 J3 ^: V& k

( A# h6 g! L' O; R" d随着WLAN、VoIP、网络视频监控等新业务的飞速发展,大量的Wireless LAN AP、IP Phone、IP Camera等基于IP的终端出现在我们生活周围。这些设备通常数量众多、位置特殊、数据\电源线布线复杂、设备取电困难,因而PoE(Power Over Ethernet)供电技术应运而生。尤其是伴随着网路视频监控系统的发展以及未来5G小基站和CPE设备的普及,PoE供电也将迎来新的发展机遇。
' S+ U0 K- i& a5 h

本文,我们将介绍基于TT9932 PoE 12W 工程样机测试报告,一起来看看吧!


% H, r1 [& K- ]! i" C& @

1、电路参考、PCB、BOM list

" X$ T+ m0 S/ }

样机采TT9932最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;POE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。

/ T" x- R* t7 s: g- X+ d. G
" V, j; T8 ^( U# E- ]) S8 g, l
  J$ H+ u; v' }' x5 w; n! K+ y

BOM List:

- u! u4 l7 y' x0 N, F

变压器参数:

; S1 M7 S% O8 F0 [1 x

TT9932:高性能DCDC控制器

2 J3 r4 s% Z, t- b. I& g. s" o

TT9932是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。

) ?7 i! P- ]5 J  V) y) c

特性

4 Y/ I$ R0 b- T9 ?8 T( w; u

● 较低的启动电流 (大约 7μA)

● 欠压锁定功能

● 原边控制模式

● 轻载降频,降低能耗

● VCC过压保护

● 输出过压保护功能

● 输出短路保护

● 内部过热保护

● 软启动功能

● 峰值电流控制模式

● 内置LEB电路

● 过载保护


  l* X) t4 [. R% p2 g

基本应用


% O3 H, w6 M& G

● 视频监控

● IP电话

● 无线SP

9 W6 }/ z" F0 T

管脚排列

$ B1 l: y& X" P, D5 K6 L3 Q! T

管脚描述

2 x. o( v' `( s( C% |" r1 I

典型应用


. b$ q4 X8 l/ `9 B; g# w( D- a
/ ]' M( ~: H7 E8 F; B0 [2、样机特性
; U. b( p, U( V4 j/ V

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。 样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。


  S& t4 w( J$ f, X6 E8 Y! k

8 o6 X0 Q7 C- x$ I

注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。


* Z6 p9 @" v" Z! m

2.1、协议功能测试

/ q! M+ \7 E$ S$ U" j+ x4 I

检测分级协议测试

& ?% H2 H. X9 ~

CH1:VDD-VSS CH1:VC CH2:V_Drain

9 }1 ^' {  S& P. L  A

2.2、DC/DC 转换性能测试


, S  o+ |$ S$ D, I9 P" y
; Y0 ]/ Y9 @; h6 v3 @+ ^

DC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。


% V7 E. S8 c- @& z0 e; A

2.2.1、转换效率测试

- v1 G4 p6 n4 X0 \, u

2.2.2、负载/线性调整率


6 z; F" B# L3 j& t" w9 G6 r/ X/ j

2.2.3、CV下恒流点测试


1 h1 j9 \+ M7 r; M3 d' J3 f

2.2.4、动态测试

/ y7 [' K# |0 P& M" p) i2 T; M% U

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V


* n0 p6 U2 z* T. Y

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

. [: K2 N7 O$ [  Z0 A

2.2.5、输出纹波 输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试


' ]8 H1 y8 a+ \/ x* z

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV


* T) g! H2 I  s4 R

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

' p9 l& t& t; x; u' L# V

2.2.6、部分工作波形


% T* K! Z0 {3 A8 c: }; `

CH1:V_VCC CH2:Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形

% Y* v& v' ~' p3 x

CH2:V_Drain CH1:CS

VIN=38V Iout=1A

: b, J# [8 c; d( Q: N

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A

9 ~6 w8 k7 M  P+ q

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

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