本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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* Z" q6 a# z$ L' m# W电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。4 V+ f. |( Q0 B. y* L
: W7 M' r* U0 f5 X& Q( j
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。+ h4 ]! F0 y6 Q6 y* D
l- G& {0 q \) x4 b, n接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
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CR6863B & XX2293B对比测试; b/ i" u2 N g0 t1 x- x
6 F& s: \( U: f- S- o% v! Z. v一、样机规格
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输出电压12V、输出负载2A。: f( O. l/ A$ i% I3 X( j
& v$ V; U% m, S5 @+ d
5 X6 f% J; i8 ]& k4 G# c( E! N( S; b1 B/ P. X! R4 I
修改参数:
# W/ k8 K9 ^1 O7 w
1 |7 s s9 P; h3 ~% ^直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。9 o) c- `- F6 D1 |. b8 u
; M4 W9 X% O7 h) W; _7 j3 J$ Q, H
CR6863B产品概述
3 V, R) H+ T+ T% M* P8 f9 h4 B" V% ]
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。, |6 J! f- ?# O* c8 a/ \
. }, R2 w( m' R1 {! h7 w) |芯片特性
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( i) q. u/ f8 W! b% [8 r" f● 较低的启动电流 (大约3μA)
2 p/ _" v, B2 ^ q: T1 S9 j. [● 内置软启动减少MOSFET应力& V0 U' s1 e; R+ | x& y' D
● CCM+PFM控制模式 S0 A/ D W; |5 J. ^' M- j
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
# X: s) X- x' }) L% v- q( V; d- }● 内建频率抖动功能,降低EMI- T) k% r" n8 Q
● 内置65kHz开关频率
# q6 M1 n/ d3 A( |" X● 轻载降低工作频率5 [/ J0 x4 E! L, Y
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽0 W, u E# G, Y# C4 q R
● VDD过压保护功能8 p: n) S% o2 b! ]. v/ c) o
● 内置前沿消隐电路
( `3 B3 \* K, \9 L! @( C9 j● 内置过温保护
$ H3 c5 E8 Y, c● 过载保护9 P' P3 F, I% r; z. f9 v( ^
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
+ D% i' V9 E* q. |- v4 I1 k- E" V& V$ p, G
基本应用
( _) A6 o( T" s) Y# ^6 G0 w) g4 d& _0 Y; e/ O" d8 S# }6 s- m/ W# M. O5 c
● AC/DC适配器
/ z5 ?+ A2 t& k● 电视及监视器电源
- n2 Z7 _9 [+ `# Y● 充电器- S5 \5 H, L5 C0 ?% m
● 存储设备电源
# [- `% e: z2 A+ Z6 _3 e& s2 a3 {; \: J) r9 o
典型应用
D' @: @' l0 ?6 h8 D) B0 n0 W3 i7 G R5 ]5 t' ~! D' x. y6 Z
管脚排列
; d' m* z; w/ N" g f q
+ s5 c- V7 N# v8 ^0 f0 _) z管脚描述
7 X( M/ ~1 v4 M4 ?1 g5 V/ H
7 b, h. f. l7 @% X' P) ], n; P# C二、基本电性参数
1 ?2 |7 }! |& D4 Y; O5 r; K! ^2 a/ l# Z) R
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
$ ]7 t" s3 ^0 _' ^, g; o* CCR6863B 90V/60HZ输出纹波
! ]6 X- G* [2 P9 Y; q; @XX2293B 264V/50HZ输出纹波 & {6 W; i) e0 m% D$ ~8 T
CR6863B 264V/50HZ输出纹波 - v, d! d* W# z' A2 O
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 & G& e7 V6 I- ^. V6 @* R6 b$ _4 \
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 # u( H X( G" C- e2 l
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 ' V- S% B1 M5 S' O# F: g$ L3 h
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 ; | D i" U& @' B" o8 i
XX2293B 90V/60HZ GATE波形 $ j4 O+ q0 b( d: t' ~
CR6863B 90V/60HZ GATE波形 0 [. ]+ i7 ? S! q# Z) P! ^7 X- Z2 M
XX2293B 90V/60HZ CS波形
# X" B3 M6 f& ~# V$ [CR6863B 90V/60HZ CS波形
; J1 o* M7 c( X6 u8 y! LXX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 ; z4 q2 K6 U6 ~
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 ! v( v$ Q+ W3 B$ g5 }
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 + f/ X8 K+ n1 ]
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
2 z& ^$ G3 d/ K& M7 ~XX2293B 264V/50HZ GATE波形 ( o* C$ c8 _. d! J* M3 D& I
CR6863B 264V/50HZ GATE波形 9 k# o8 X o7 V0 ~5 \1 M
XX2293B 264V/50HZ CS波形
. o9 G3 @! P- C$ S; \3 r5 uCR6863B 264V/50HZ CS波形 ' `3 [9 W h7 P; I
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。) E2 w6 _! e3 b9 d& R% a+ `
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- q. j0 _) X9 K, @$ g6 Z( G( |/ Q* U8 C) }; O" P0 I1 q+ r! Z
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