本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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! g% ^7 T7 l! [/ n! x电源管理芯片是电子设备的电能**，负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能，是电子设备中的关键器件，其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，并且广泛运用于各类电子产品和设备中。8 @* |" h* Y6 c3 r( g, z+ s
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例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件，适用于中小功率AC/DC 电源适配器。! ^, b' o9 k$ U
' p6 s h a2 J# X8 ?- z接下来，我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试，看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹？一起来揭晓吧！! C* P$ p: ~2 K! \. k1 C
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CR6863B & XX2293B对比测试
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一、样机规格/ X6 j" Y6 R: B4 V% Q% |
$ d8 s! I! Q9 {) M8 M" d, S1 A, |输出电压12V、输出负载2A。
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2 y5 U5 t% e* i# L" S! i
2 T* M+ G! ^2 e* T- F% ^* w0 f
' I+ N/ X5 [7 S7 o% c9 [2 U修改参数：
$ O, c' ?+ A& R0 A1 ?; w6 e, @! a: ~& f% {9 e" w
直接替换IC，R5、R6由3R改为2.2R；R4由3R改为2.4R；R11由3R改为0R ；D7由A7改为RS1M。
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CR6863B产品概述
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6 E1 I" n' H2 j; H5 y9 H" r- N# _CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。7 p/ T" w1 i" t+ v
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芯片特性2 W/ Q4 h. u' ]( X1 E8 }( x' `) u0 B
" J/ P; p: |5 l! S. ]# H& {% j0 @* Y● 较低的启动电流 (大约3μA)' C# e+ A$ B0 B' I; u
● 内置软启动减少MOSFET应力+ T/ H( ]9 G( ^+ \& F2 z0 U. S* ~, P, X
● CCM+PFM控制模式
) f9 Q; l$ Q8 \( o0 }+ a! S5 c D● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡7 s' w# t+ l" V, V6 Z( K
● 内建频率抖动功能，降低EMI
3 {' R4 T' t: R* J+ S2 _0 I& B4 |# v● 内置65kHz开关频率& a: R5 d- L2 b% h! Z
● 轻载降低工作频率: G& l" O- K& p2 t" O( k* b
● VDD电压8.5V-36.5V，工作范围更宽0 n6 C0 ?7 k8 G( r& Q v5 {
● VDD过压保护功能
9 d, M/ g" h" ~2 c/ D0 R! |- I% Q● 内置前沿消隐电路& j5 G, N( x- D$ V% _9 z# c D* l! v
● 内置过温保护6 j. N2 c* ?! a
● 过载保护9 D7 ^: E* e9 H
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
) E8 v6 ]5 k8 B- q" X4 q* S5 g+ h
( Z. g- {$ ]( s' L( ?7 L基本应用
4 w# m. `$ ~1 {% q
4 T; Q% e' i# r$ g● AC/DC适配器$ Y) C% F1 J& h1 R
● 电视及监视器电源; Z9 }- L3 {; j
● 充电器
. M0 u' x) l! K# @) y. C( \9 G) \● 存储设备电源
9 k1 W2 v3 C% a( ]- _; o0 S- {+ l/ H* P% D3 s/ _; r4 e
典型应用1 r4 T# Y" i6 o) e# _5 X2 R8 X
5 s H/ t4 y8 ~ W4 e% H管脚排列" ]; s# ? A& b, Z% F! X
/ j: J& g7 e9 t$ a2 ?1 ?管脚描述0 w6 K. m5 v/ D$ C% G6 V
, |9 a2 g/ L0 t1 ?二、基本电性参数
3 ^) q1 J* x: g4 q. D" |( h
* v! b9 J v8 y4 F2 Q) i三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波 1 z+ l' `9 S7 I% E4 E# D6 z# S
CR6863B 90V/60HZ输出纹波 - S$ `% x: H2 N' g, ~+ h6 p) k1 ~
XX2293B 264V/50HZ输出纹波 " K. Y' Y- ^3 k; N/ [- _& c
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
" z9 l- n3 o, u! k6 ]3 @! n$ K. LXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
; L% `% k8 B0 l( g9 tCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
9 q$ n. z$ t' c5 LXX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 % Y0 u* u9 X4 f2 s0 }; J
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
! J: o* y. e& X2 eXX2293B 90V/60HZ GATE波形
* J, d" T; {6 S/ M1 i5 U$ L8 c5 wCR6863B 90V/60HZ GATE波形 $ n* s; Y' z8 n" @
XX2293B 90V/60HZ CS波形
- J5 w0 o$ E, Y) UCR6863B 90V/60HZ CS波形 ; l5 X k: M/ b$ N7 o5 ]2 l
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
9 L( f( l7 j6 F/ {. r3 [4 rCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
! e. h$ Z8 A6 f) VXX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 4 n" _) W, @1 j+ \1 v( u8 W
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
; Y8 s& N9 @$ y4 _" P3 m# j- qXX2293B 264V/50HZ GATE波形
3 Z' o, G/ z. ]! A }$ c( P2 F2 oCR6863B 264V/50HZ GATE波形
p) \5 I- b& l" r- x# zXX2293B 264V/50HZ CS波形 ^. x4 Y$ q, A
CR6863B 264V/50HZ CS波形 7 q# ~( U! C- M8 ]; }
对比结果：电性基本一致，CR6863B效率略高于XX2293B，推荐使用公司主推的CR6863B。$ W; [8 A4 G- b' P7 W2 [) h, X4 Z
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+ d0 R6 m M% b7 }8 i/ Q8 J" v. v, S, d9 l3 {/ x# C
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发表于 2023-3-2 14:19:00
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