本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 " u e' ~% f$ p! R. `
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电源管理芯片是电子设备的电能**，负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能，是电子设备中的关键器件，其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，并且广泛运用于各类电子产品和设备中。7 k5 m w" D5 A$ g/ m+ @8 J. m
+ L/ J( v/ v' l2 m0 ]8 I例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件，适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
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( [+ \6 l% n/ M* b# Y3 ~/ Q* s接下来，我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试，看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹？一起来揭晓吧！
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# x4 ?4 R$ O, x; L+ O! f( }( lCR6863B & XX2293B对比测试3 D, S! x5 T* u0 e$ b
; x& w- c( B$ @: E5 f5 R
一、样机规格
! Q! n8 }1 G: S* H) i8 h# S' Q7 U& q% q. }7 ?( x) j1 Q
输出电压12V、输出负载2A。; ~2 W/ S5 b0 l
g. O9 t6 s8 _- b- R- X( `3 D7 V
& y. i- F/ G1 z: ^" H- Q+ n
, R$ `2 }4 S! c/ h; |修改参数：
' j7 t/ ?. R3 {# D1 J0 W5 H
) r1 T0 n0 Y" o直接替换IC，R5、R6由3R改为2.2R；R4由3R改为2.4R；R11由3R改为0R ；D7由A7改为RS1M。& b8 ^! ~( ]& a/ U& ^1 L. f
% I) h+ n. j# D6 m8 B5 U7 y8 [CR6863B产品概述. k5 W! g! [6 }7 l
; W& v x* s1 ^! ?CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。- O! e2 V& [3 S" _; D
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芯片特性+ {- s5 I4 z5 s/ a! g& u9 S4 W
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● 较低的启动电流 (大约3μA)
. l# d# l9 D; U0 n● 内置软启动减少MOSFET应力
* Q3 t1 Q$ j! C. L% Q1 s● CCM+PFM控制模式4 H) K, M9 I5 ~' {
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
3 J0 ^4 {7 ?" t. V● 内建频率抖动功能，降低EMI- `) s0 c( ?4 G
● 内置65kHz开关频率8 R1 S7 T( r2 Q. n2 P1 A2 }7 e
● 轻载降低工作频率
; t# w' J, k4 C! V/ v! L: I● VDD电压8.5V-36.5V，工作范围更宽7 T! o1 ]2 t% W7 O2 }
● VDD过压保护功能
' M5 \6 `" b3 b m V5 F6 n$ b● 内置前沿消隐电路, g7 u7 a& t4 u+ i
● 内置过温保护
0 q8 L8 Q1 T" f) M/ Z: v0 r● 过载保护& N5 a: K4 F$ u: @
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装8 z0 w+ O$ }/ l. \! ]( `* u
1 c A0 h( K: {/ d' K9 {; f" F' d基本应用8 ]3 U) b( _/ }! a( x
' z0 f6 x, B* o/ O* [● AC/DC适配器
( l3 i; S$ _/ j* y' A* q! D% L● 电视及监视器电源( L" Q+ n" O x9 a( |
● 充电器
! o, [$ w W$ K5 W# v8 v4 p● 存储设备电源) t2 x& ?6 I v4 Y2 n
6 w4 u7 Q' c- g+ n3 {4 u典型应用
2 s V7 |1 c( P m% @: J P# ?; r; J4 [* t9 Y
管脚排列
! e! p( e) K/ B0 Q: L) f Y
( t, u4 e& D& q管脚描述5 R( H- R6 d/ ?" P( Z1 z8 x
: t3 K- l, w! M9 S; q: K
二、基本电性参数8 a; ]( x! `7 s R
4 e9 {) C; L# H' M+ x4 R; ?# E三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
3 A% e* L M" |1 GCR6863B 90V/60HZ输出纹波
/ z2 M' p6 S4 B2 i9 OXX2293B 264V/50HZ输出纹波
+ i$ I: d/ k: A; N# sCR6863B 264V/50HZ输出纹波 ) e, M; h4 M6 x: Y- W1 _$ {
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
- g; g$ V6 l! D7 a* DCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 $ M3 I2 h( i& ~$ O
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
( Y% Q. u% |& v4 ]) g; XCR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 0 u' K4 t! A9 g: P- L
XX2293B 90V/60HZ GATE波形 , ]0 M2 N6 i( h8 U; V
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
. o! m" ~) T+ C" {& N6 Z& JXX2293B 90V/60HZ CS波形 " k$ N2 D& ^: X! i
CR6863B 90V/60HZ CS波形
. |% T1 Z4 Q! z; j# W+ ~XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
* U3 j; _; P$ D/ P( X4 H! cCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
3 n) j# H# ?( yXX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
- ]# Q) B4 }) s; j8 z1 lCR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
( e0 @3 M$ h1 A& oXX2293B 264V/50HZ GATE波形 . g+ y; k. u$ l; x2 c/ ?9 m
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
F: _8 M' q' DXX2293B 264V/50HZ CS波形
5 m1 t7 m* q. g& B2 O0 sCR6863B 264V/50HZ CS波形
9 E) G5 G& b* @. B r R# R" }对比结果：电性基本一致，CR6863B效率略高于XX2293B，推荐使用公司主推的CR6863B。
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发表于 2023-3-2 14:19:00
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