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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
- @* K1 |- E  h2 ?) v* [' W8 f
% J4 ]/ W/ Y7 Y0 W电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
/ B% \9 ?& V8 P7 b; g. Y$ ]- M6 |- n% r* ~1 m3 A
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。# N- f) S2 W' Z* r! z

# _( H$ x3 u; M, p: U1 f/ x( d7 J接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
+ }4 c2 V* X2 ~4 i
* E& G# S! p( ?% x% d2 I( Y6 I& H! l7 TCR6863B & XX2293B对比测试8 w2 s' M! I1 G) G

6 Y+ t! `  z# ~' }1 C: k一、样机规格

4 L0 @+ M% Y6 f9 i' n. P6 B! T3 e1 h9 ?8 p( W5 I& z' X7 X& F
输出电压12V、输出负载2A。1 g' k! f% A( Z4 t

! g3 I( J+ E: R' x6 D
* P2 ~: w. I2 X+ z/ }8 u
' E7 Y- d  U! \' r1 w: t. X
修改参数:7 w! f! E7 k6 F
  H& a4 m; T% X" r" G0 y
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。3 D# |. b+ }1 \; @' l  d' n

- {7 v, U' P6 m2 T0 a0 C9 YCR6863B产品概述
' d4 w- Z0 F; @* @# p) G  U8 M4 L9 e7 j
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
2 q( f& g" g5 }( }& D, }" Q8 C
$ ~5 ]" x1 }  M% R0 k1 P; T芯片特性
: ]2 E7 f: ?$ o: M: o6 S8 ?
* a5 j" v8 i3 P8 w● 较低的启动电流 (大约3μA)
+ q, O! T7 Q/ c0 X+ c3 ~# [● 内置软启动减少MOSFET应力
( U) |) x" Y# H● CCM+PFM控制模式
- E! w# ~% n$ L' Z4 R8 b● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡' n  D! S8 `; j) h  n
● 内建频率抖动功能,降低EMI
* M& z/ u0 x0 S: W7 L● 内置65kHz开关频率& N. r- x( p- ?7 Y: o  g7 `
● 轻载降低工作频率+ D0 W# A( L' V9 {0 e+ P$ p
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽; x3 v! {) A& I
● VDD过压保护功能0 V1 Z1 b; Z% f/ a' r; p
● 内置前沿消隐电路1 v$ ?0 T: `- g; [' f; E) F  \
● 内置过温保护
/ T) G! c+ C% W● 过载保护
2 X/ L: C5 R/ G  p% a● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装& _5 F3 h2 Z% q

) E0 j2 b" {$ G) t) z2 X* L基本应用
( T' @! B1 U3 `/ P) b# d+ h0 Q& R8 p) P! k' t, S
● AC/DC适配器2 e" z9 ?+ }+ N" ]  g3 l6 T+ Y( z
● 电视及监视器电源) z, Y6 a# V9 T8 K$ p
● 充电器
" q4 y3 N  p. B0 a● 存储设备电源/ ~* h4 ?6 o! p  s4 u

3 l/ N9 L4 w# u" q0 c* [5 L典型应用
& v& f8 ~# v: _, I8 L$ c  b' @; a4 s7 E2 @/ N
管脚排列, u$ y4 N9 B+ y; h5 e7 W

" S+ J: l+ B/ j
管脚描述
# W4 r5 R- ?0 m3 O3 r

5 Y) U% S+ w$ {$ k! @7 I0 A二、基本电性参数3 O; D+ e, o% H4 _4 {

/ C1 n* ]; m/ k三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波

& K) e* T5 P9 R+ p5 q# _( q1 ^
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

* [4 @. M' H* N; R, Z
XX2293B 264V/50HZ输出纹波

1 O/ C, E* F! y2 v' [! `3 a9 }
CR6863B 264V/50HZ输出纹波

( n0 O4 J) `* r3 f
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
* ~# ?: d. c0 g. M" ~0 L5 I
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
& [  V, ~2 i/ ]; O# M% U
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

( C' l3 l( P* Z/ M, m/ k# e) C
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

8 ?( x  @' v) W2 T6 u7 V; s9 s$ P
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
  i! c- Z* G5 j6 s4 s  ~3 o1 j
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
, y# O: N9 O! y% t! t
XX2293B 90V/60HZ CS波形
% P+ O. E/ j/ p4 V3 q
CR6863B 90V/60HZ CS波形
& Y0 Z+ {* Y# v6 B9 @
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
( H, E! t$ H# h
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
: f7 ?6 W' L  R% ?' j" i" k+ P
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

/ Z, V% C9 w6 M
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

) q  ]; g4 }) w# W; c3 {- d4 c
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

" S. R* u  T& Y( b* y0 n! G
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
/ Z' z5 ^+ d2 V* P/ w3 P: O# T
XX2293B 264V/50HZ CS波形

3 ?' ^, n( Q( `
CR6863B 264V/50HZ CS波形

& P5 E6 Q0 t; j/ a5 J8 t1 N对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。" h# f+ q6 {" d9 S- \. L. z4 Y

2 e" U- k0 ]& _: ^: r( W- Q
" ~' |" B. |$ U% n* r3 Q. V" o. [) y: [8 K

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