本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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" K i% v( X- i8 X电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
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$ ?, b3 ]6 F9 r2 i; A) O例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
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1 M# q, I; Y2 i" R [# f! Z接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!, V) e% F$ |5 e9 z5 E8 l; m/ n# S, A
( M' g% g0 \) [* N3 hCR6863B & XX2293B对比测试4 A' d2 Y6 G$ j% s* k$ O& F( e
" E+ s% N. q+ h2 o+ ^/ h* p一、样机规格
2 e+ U/ A" a2 A/ k8 e/ ]1 J& C5 n
输出电压12V、输出负载2A。7 N! o3 {$ ^7 S
3 C9 W% F( p1 b6 ^3 Q f
, {& m) p& v& [% `4 e8 Q# `/ v" v0 j% x/ z9 }2 W
修改参数:. c. |1 q+ d; @( [& P) U) n7 j( r
1 M' C) G0 B2 N+ N( z2 i; q
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。: n' Q, m3 c4 M2 y% X! D
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CR6863B产品概述
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CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
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% d" J7 I! J) U* x* P. c; z芯片特性, {7 Y/ N, k4 i2 y) Z
6 a! s& Y& g7 ?0 U. Z9 w● 较低的启动电流 (大约3μA)
8 _9 r+ A9 f- a1 f● 内置软启动减少MOSFET应力
$ v* U3 O4 e- }& I8 V$ S: M5 W● CCM+PFM控制模式6 M) ~" B3 l5 w& u
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
7 a+ h9 A/ Y$ p$ {5 N# y) N5 j● 内建频率抖动功能,降低EMI
9 u/ ]; J, G. O0 d2 O● 内置65kHz开关频率
5 u- @( R. t2 G! `+ n4 m( P/ P● 轻载降低工作频率
2 M4 `( ? w' c- ]& r3 x$ \/ B● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
% \1 l3 O, j+ Z● VDD过压保护功能
% r1 L" a( q* H& L4 ]● 内置前沿消隐电路3 W- N. P2 d' q3 t2 |! h
● 内置过温保护
( D/ c9 b& C& \# `% x. K% O1 \# ]● 过载保护) G* V. g9 T, U b/ N
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
/ ~' o. j5 V* o4 q1 k2 k* k1 z3 {+ R% `+ l$ j' c& p9 l
基本应用
6 V2 Y) n' t8 a- D4 a, s
" D+ f+ r) l0 A6 a● AC/DC适配器* B3 [8 R9 G) S- T: }- ^
● 电视及监视器电源
0 I( @& F' S0 l7 s5 X7 m● 充电器 l, W# T0 y' }1 R) a% a4 F
● 存储设备电源
" q+ K3 w* }# L$ M3 E) U
. ~, f/ \& I0 J$ Z' }" I2 }/ s _典型应用
4 Z/ S C* c7 m( s( Z4 k7 M* Z" ]% Y- N1 z$ ?+ L$ e8 N6 K* ~# w
管脚排列
3 S* h3 ^4 T1 G3 i% Z( X0 D- k
6 m/ U% H2 A8 i; h管脚描述0 f O$ |5 l. [9 v" ~7 W6 ?
) c8 u/ O! ~* N$ [8 [4 Q
二、基本电性参数, ^* f' }; U: @, [9 w
) {& x" G$ m( I! m* b1 L7 J三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波 9 x5 b6 i* X: x H, e
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
: K7 m6 @: o( w# L- {% M- ]* Z$ iXX2293B 264V/50HZ输出纹波 4 Z! X/ E( N/ F* n
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
+ i( _+ B. l7 \! YXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 : {' w1 m4 Z5 v9 M" N
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
' S5 ]$ ^' h/ S$ L! j }" @XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
/ F! \, \; ~' p2 J4 J, \' DCR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
" Q% V3 j! Q r0 j' YXX2293B 90V/60HZ GATE波形 8 D3 Q9 @- O* x9 Z c0 M: D# |
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
- S" u7 _4 S. ?5 i- @9 b1 t8 ~/ |XX2293B 90V/60HZ CS波形 4 X R& ?( t3 G+ O6 q( T
CR6863B 90V/60HZ CS波形 1 P/ n; y1 R! T/ Z2 g
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
8 X) `3 t3 W) w) Q& O: U& A2 {, K% CCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
`' c+ s+ }- v' z6 d3 KXX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 4 G! S6 { F6 S' t/ |
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
+ x7 a9 @3 ]$ lXX2293B 264V/50HZ GATE波形
/ m4 h6 h0 P" l9 G2 gCR6863B 264V/50HZ GATE波形
. M, L& x: M7 ?8 Z8 K+ G4 c* XXX2293B 264V/50HZ CS波形 5 W- o6 @* P" L& n1 `
CR6863B 264V/50HZ CS波形
: ?& v! g9 {6 {对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。; Q" I6 }: X# ?7 _3 B5 ?
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