本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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9 H& k2 N& @( t% R电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
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7 e# E/ u3 K' }- I7 d' s例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
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+ a1 X6 \- ^; ]; ]0 I% [3 R接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
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1 `* q1 g ] g8 Y. oCR6863B & XX2293B对比测试( j% |" J- ~. M4 F1 L l
0 C- x+ R' [! m* b a$ o一、样机规格
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8 j+ n' V* ?9 i* k% N1 q# f8 `输出电压12V、输出负载2A。
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修改参数:3 q4 M l- V* n4 G9 B v/ c
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直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
) k, z/ F/ \ i: e+ V$ E1 P9 O9 j! L: K" z* x3 D
CR6863B产品概述( p+ U4 k& N* W( c
! W+ z; o3 L: i) u3 TCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
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5 X; y5 U% c% c4 w! D芯片特性
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+ S2 Q# z& W+ T/ u1 j● 较低的启动电流 (大约3μA)# H* s0 w, e6 c( M& L u7 W
● 内置软启动减少MOSFET应力+ ~; D! h0 m6 K) n. i- J' c+ @/ B
● CCM+PFM控制模式0 Q' q7 ]3 d% Y' l+ X
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡# m H3 A+ l' [; X* R, ^ q9 S0 [4 r
● 内建频率抖动功能,降低EMI
3 V' ?! _- B+ k1 m4 Y● 内置65kHz开关频率# h3 q# f$ r' _; \
● 轻载降低工作频率+ J! y0 t% M( E7 H1 ^/ |1 p" H
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽. f4 r4 y& r+ b$ Q1 r! \& t
● VDD过压保护功能) C6 }, y/ v$ c/ J% Y: N2 R& U
● 内置前沿消隐电路
9 k1 Y5 B9 p& O7 \0 y● 内置过温保护
5 B4 X+ m$ C4 V- v● 过载保护
; E& k. Y- j& I) m7 S● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装1 X! c, K+ J& ~3 Q$ c* `0 W
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基本应用
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+ Q0 Q& Z9 b! Y% a9 f! @) I● AC/DC适配器
# \5 |1 P1 G5 S( \3 c. P● 电视及监视器电源7 [) R5 K2 A/ C9 o0 \3 I
● 充电器8 h% w+ I9 i' t& _5 i- B1 C
● 存储设备电源
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典型应用
# b* ?# @3 }2 T( W
/ Z4 ~' u( J0 m+ s f7 o管脚排列: N* Q* D, e' g- E( p
; ~0 `2 r5 M: I1 w, o; Y管脚描述
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4 }% c, a- w9 L6 X1 R二、基本电性参数
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三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
' G% x9 i: m+ L- G" r. WCR6863B 90V/60HZ输出纹波 8 C8 C- p# r6 C( X9 j" C5 z
XX2293B 264V/50HZ输出纹波 4 t q5 `& d# u0 n1 U* T
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
; D1 {+ d- B+ OXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 5 S. S" W! ~/ v4 i. w$ o; O# v+ F
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 ' c* g5 x8 N% K# q4 H3 z0 @
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
3 t9 s X% m \# b' @CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 8 M/ s. _% p) F8 s7 t" N
XX2293B 90V/60HZ GATE波形 2 t9 t) _" s* E& {8 @3 l" x
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
z8 i; R7 p4 A2 Z9 M+ f9 W& m8 UXX2293B 90V/60HZ CS波形 ; b+ h Z. G9 h3 [& o
CR6863B 90V/60HZ CS波形
$ l. |: D- u3 F0 O) c8 H# DXX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
6 ^ n) Y& Y9 Q8 c9 LCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 W6 Z$ ?! z8 ], e
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 ! C u0 Q( @5 w7 e
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 0 Q1 a" n* S9 E. t; e$ u7 L
XX2293B 264V/50HZ GATE波形
F( o) X1 q- [5 ] i+ ICR6863B 264V/50HZ GATE波形 $ T9 [' A5 G$ P6 c5 `; I6 X
XX2293B 264V/50HZ CS波形 5 b% c) K+ [6 x
CR6863B 264V/50HZ CS波形
& o5 }( `! h/ P% g对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。9 o( v5 e" m, T, [ q# q8 A
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