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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ; t% z& X# h% \, Y: a3 r3 c) \
) E: { l3 ^* f当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
7 ~) o5 N& i, A, C4 R5 D% |9 O/ D* o1 [7 D- T& d1 y. u$ o
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
3 p5 `9 y+ R- [0 F; `
$ a# @3 c' V, `关于CR6890H
. e" c$ C6 I @& y0 x# M$ K
2 k8 `' i2 H' R) K6 R% O" l; jCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
* F0 N( f ~% x3 u) J+ S5 g& i- l2 T7 B3 v8 E! p
主要特点
8 D v# B- G7 n1 }8 b2 I/ }9 f d: B$ n. \
● 较低的启动电流(大约3μA)% l3 q7 w% _; f( ~+ _
● 内置软启动减少MOSFET应力! B; P8 d' S1 C0 u1 G$ J
● CCM+PFM控制模式
2 c- G/ R% I) n# }! ^# x1 V● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡- K0 G) p0 C, p! E
● 内建频率抖动功能，降低EMI
; A6 B q& [& y/ F9 M; D( Z● 内置65kHz开关频率
8 r% N: u3 w1 {; j+ |● 轻载降低工作频率# C1 L \$ B% d4 n
● 15ms倍频模式
0 C+ W8 Q- h F● 可编程外置过温保护并进入latch
9 ?, M' x) |1 X9 i9 \1 B● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch4 D: w d$ i0 c! v. @) ?2 B7 X# B) H
● 内置前沿消隐电路
, B* q) Z/ b& t● 内置输出二极管短路保护
5 G2 W: B: G+ ]+ v0 F5 N● 内置过温保护并进入latch9 N }9 E, o \0 |. Q
● 过载保护
7 v. o X. ~8 v+ W. ^● SOT23-6L封装
: c7 b- \, ]% f' `# T7 X
2 D5 b2 \# x# a; Q7 t) `. b基本应用
3 H4 J) W( G& p* \ Z+ p/ @+ I- U7 k" F8 U
● AC/DC适配器
8 U, T/ e0 V0 `4 v( j% o% u● 电机类适配器
; g5 |( z, }2 v● 充电器& P8 }/ o: c$ g
● 存储设备电源
) u# _* n) _' d4 i
( G6 s% j8 z4 b. M6 C典型应用' Q, w! B: T/ U# _: M5 ~
管脚排列5 r* \1 ~" z5 i8 P( s5 N
管脚描述# s( h" ]2 S: K' t& m
- R1 J2 Y, K7 ^+ [一、样机规格. P! m% X9 P7 x2 }8 G
+ q. D: C+ G' K3 g. @6 m/ H输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
1 v0 [: y, n8 _- C+ l$ K- O; [
修改参数：
$ m6 x* U% y* ~* R8 W8 o% h7 ~9 l- R5 \7 G$ C# Y6 H
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
4 x3 k6 o; U8 |% p- V9 G2 g" r& D, s3 N
二、基本电性参数# i( J8 f, J6 E$ N* `- V4 k+ V
三、基本波形
/ V, k2 X. y8 ^5 Z; `0 Y8 O0 C4 k
XX5533 264V/50HZ MOS波形
3 b+ y0 |/ G4 W& d+ v& fCR6890H 264V/50HZ MOS波形
% Z/ e/ D( a, k: V8 ^XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
" r/ _- l1 s0 A+ a* z8 }6 |( rCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
) A* h. I* M0 @XX5533 264V/50HZ GATE波形
/ G2 x- g* F* f: g4 CCR6890H 264V/50HZ GATE波形 8 i1 f& n; _/ v% A8 e
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
1 \1 K4 X r4 R4 n7 p4 L* o% bXX5533 230V/50HZ 传导波形 L / H9 p8 [6 B" T; v6 Y4 n
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
2 Z3 s( `0 V3 A& u# ACR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 5 b' N* F1 m* P) k9 H
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
) @# L! N. ]' u6 `- D3 S4 QXX5533 230V/50HZ 辐射波形 % ?+ Y) f m" @' D, A* C! x
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
/ ^, H, v( O- o2 MCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 - W- b) k+ j+ t* v9 Y, d4 P1 ]
对比结果
# P- S, H; C7 P, M/ c7 F9 \4 g [! R/ `4 L
电性基本一致，CR6890H效率更高。
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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