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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 8 {' \' \1 O( I7 h- e: v* ^
2 X' I9 a6 e3 [: l
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。8 R+ F- E0 R: I4 j' _! T2 r
" o. O: d) @+ C7 M  v
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
' E! Q7 `2 ]: [3 H, ^! ?4 A
. [. Q8 }7 f9 g4 O5 Q9 ?" Y8 _关于CR6890H
# m* n+ F5 [/ B* t, V2 ?1 @9 _! A% [
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。1 w* {$ J6 P  W* n. U

2 P! `3 A; F& ^, u6 G  e" F主要特点, x" Y( x3 v' ?; Y- W: A
. S- Q& s/ v6 G, s3 ^6 X( [
● 较低的启动电流(大约3μA)
: b# A/ A1 l! {% a: ~3 U7 }* b' V● 内置软启动减少MOSFET应力& i* c) o5 t6 t
● CCM+PFM控制模式
" W/ E, H: ~6 \● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡6 `  R- [, u' S. G9 C
● 内建频率抖动功能,降低EMI. [% N: j2 b$ z0 H! m
● 内置65kHz开关频率
2 p) I: U4 T/ m& b- Y( h● 轻载降低工作频率
2 F, h* K) B" L● 15ms倍频模式! U4 J& b  {3 l
● 可编程外置过温保护并进入latch
: c$ H: P$ k4 j1 T4 C' _● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch! i: ~3 Q0 \. A- |% K- E
● 内置前沿消隐电路
) A& {- c( p4 z! L6 S● 内置输出二极管短路保护
2 ?8 Q. r$ K9 [2 i, T● 内置过温保护并进入latch2 Y2 S  H8 K7 t- w. y8 i
● 过载保护
4 t- U' U1 |1 T3 g9 M● SOT23-6L封装
8 |' }, h( z1 e- o9 Y
- }, N6 Z! j/ e基本应用
6 L/ `) X9 U/ ?- |/ ?" [! G- f1 ]9 W$ U+ I% Q' U5 b
● AC/DC适配器" [: w* t9 E! F9 C! o
● 电机类适配器
& f$ V& Q0 V/ R$ f. Z8 V! l5 g● 充电器! e+ s9 U  L4 [9 P' S
● 存储设备电源  ~( I9 \1 |4 \9 ?

% E+ ]( z! T& ~( z. f6 B典型应用
' c. k# R7 i) m0 i
管脚排列
& v4 o/ y+ ]3 m3 D  b( K
管脚描述: k% C! g7 s- g

% F& t% ^7 S' u0 s, C4 k0 i1 I一、样机规格% W& A2 }  ]$ h

" A8 D4 \* v& h3 P: x+ }输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。" m+ g8 M8 i2 k; x

2 x0 h% h5 \5 W修改参数:
2 Q- t6 x* S( K( V: a" |
: D) F- k( }6 h4 p+ m  K' v替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。% I% ]/ }) m5 P6 s

- e1 H3 u! B5 }  U二、基本电性参数
( v* R9 V1 ]$ C0 T* _8 q1 ], D
三、基本波形
7 i/ \+ m) u( j* O4 g( M) ^# ~. l9 s# i0 W
XX5533 264V/50HZ MOS波形

- }3 g) U+ s, ]0 }2 C6 X# i7 o
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

4 s6 K2 |* H$ P$ [
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
, L" X- s% M, l0 u- n, r
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
3 X  H; g1 [; b7 L
XX5533 264V/50HZ GATE波形
( d% W! k+ i. q' a4 C
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

+ y5 O% g) ]) d* x; u  `2 |
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

& l" l/ P4 i5 }& H
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
8 J) O! p: i/ |$ k  @. J) c
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
1 F/ D7 j7 Y% I+ @6 \7 S, e1 I+ l
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

& M' o# |  g2 x1 L
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
# y+ }! J" V. {) |  x
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
/ s  S0 m+ E7 h& f) D# N
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

: V9 v! ^) `" r. f2 A+ y7 w. s9 U
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
( ^7 a! x; S" Z3 h8 y$ k
对比结果
: k8 `% v9 V9 Z$ _  G  c8 |/ P  C; f* u. t- s! \
电性基本一致,CR6890H效率更高。$ q9 i3 ]% t# e+ Q& `1 H
% P& r/ x( T7 i& V+ F% {6 w

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