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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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; @: E9 n9 u+ v% x5 z" @* K/ F) Q当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
3 i; r, c0 s: t. ^+ X6 H, ^) O0 {
: A" h9 l) R! v, G电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！. D. ]# C" w& G4 K/ F
4 V* d4 N5 [3 ]/ t% L' ^+ d9 y; r
关于CR6890H& U2 m8 `8 V1 [& C4 Q
7 l; d3 P3 E1 ECR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
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/ _; U$ O! a; S# T6 }, Z. K主要特点! D8 G! g4 F5 ^: F5 u
5 m+ L4 w2 I. |4 C. O
● 较低的启动电流(大约3μA)# N* [ V: t1 l- N# f
● 内置软启动减少MOSFET应力
) F: V7 B) o0 T0 T● CCM+PFM控制模式
/ @/ G; ~" r8 Q, Z8 ]0 p8 Q● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡9 s- O% q8 M, N. r
● 内建频率抖动功能，降低EMI
' N% X8 ^6 P+ M! j● 内置65kHz开关频率
1 {, H! l+ B2 z0 h3 I- l● 轻载降低工作频率
# T" h& V8 {. M8 R+ B2 N● 15ms倍频模式0 B5 s' L* W, Q2 v4 z
● 可编程外置过温保护并进入latch0 M+ N: v8 R8 L; {( o
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
9 v( ~$ l1 q4 ~3 ?* V- W● 内置前沿消隐电路1 p) X& s- x+ j/ K( Z6 _7 j
● 内置输出二极管短路保护
" _# p, d$ B9 ] A( ~0 s● 内置过温保护并进入latch Z+ u% S& L. w( A1 C" z; I
● 过载保护
8 |% r4 W- m0 f" a# v$ E0 R3 c# F● SOT23-6L封装
1 H# f8 G3 W& b8 ?# r" c
1 Q3 a& d7 v+ F% a" S4 @, R基本应用8 ^, D3 }6 X: } ^# w1 Q
' y, @( {+ g, h8 e● AC/DC适配器
0 ^ W/ F0 b6 N2 j+ d9 q8 w● 电机类适配器
& z" c b+ k6 k) }+ }● 充电器" ]7 w% W6 x4 L9 u' I8 Q# R- s
● 存储设备电源/ p$ X6 n- F! C8 D7 O3 a
2 }+ r: H1 x0 S5 v
典型应用' e9 {' g& Z) m/ h" F+ w- d
管脚排列0 c9 k3 j5 w- |6 Z. d
管脚描述
' D# ~$ u) N# ]) \; k* e" T' j0 h' Y) }, [- N' P3 q) ?
一、样机规格8 k" c$ o4 ^( J+ l9 Y" @; T
. ?4 K5 p5 M+ I, `- `9 f7 P输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
% N6 z3 d3 g, \
% M: w. S. n0 B% [1 p4 {( z修改参数：
, T( L6 W& `# s0 I2 P% H" m& V- _" ^
4 ^5 r! a' q/ M- T {替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
2 d$ z( {1 \3 D+ w$ ?- L6 x
) K+ i$ @; \" E+ s: a$ y二、基本电性参数
% A: D' c1 r/ f( W* U i G+ q2 \三、基本波形9 f0 o" g- q/ D' m4 H. K* Y. N
8 y3 e( Y3 D: L# x8 I8 uXX5533 264V/50HZ MOS波形 % h7 B: \% ?7 e, p' v
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 , O$ g6 o! I9 F$ N) t$ Q9 G7 O! `
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
7 p/ B" }! w4 r$ sCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
1 l( p# y, d0 y5 RXX5533 264V/50HZ GATE波形
3 I, N& h- O8 d% s) H! cCR6890H 264V/50HZ GATE波形 $ J5 F4 }2 ?6 ]1 {6 \; E
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N 1 n* k; e0 G6 G5 v! C6 ?6 L" r
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
" ~. f& T3 v8 \* v. L! B, fCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
7 D. T# m; o' f9 J# E8 \, Q6 GCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
" o$ | i& v3 j5 s. q/ i$ M, L+ cXX5533 230V/50HZ 辐射波形
& w$ ~( D! i8 P0 {2 |) b6 dXX5533 230V/50HZ 辐射波形
4 T) B6 ]; {, g& `CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
, w8 ^4 k4 ?3 O( @- v! c! M& zCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 8 S$ R( z( y5 T5 _2 M- E! {
对比结果
5 i! y; K* l& I0 J: h' t
, U* k/ E) g5 c/ p7 g1 P. C* N, G; ?电性基本一致，CR6890H效率更高。" x9 s/ K# ?: B& z/ h
" b' d. I8 r% d: p3 K
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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