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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
3 A" C3 Y# d; v% O- [
% E1 n, M0 e( y8 s0 F  p& {当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
7 ]1 v4 a, F% N5 y1 ~0 o  ?& Q4 z$ R4 J, C
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
9 d1 W4 z0 {) i; u
, U+ N5 O  [7 D' x2 Z5 Z关于CR6890H1 T5 |- }% C! `* P% `

, B; O% ^  `( J* j5 L# `CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。, h, b* s! b# f
6 J% k$ h6 x. X% c2 }+ u
主要特点
* U' H  x5 Y' J% P6 m+ i
5 p; d/ q; |2 p7 e  H$ h% F( ?● 较低的启动电流(大约3μA)& s* Q& x/ p* F5 V
● 内置软启动减少MOSFET应力1 n1 R/ y2 u! Z* E4 J# J, a
● CCM+PFM控制模式+ c- e# q3 ?% M2 @
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
- Z3 ?/ h. n% G● 内建频率抖动功能,降低EMI
0 |8 \; _9 K3 z4 s7 \● 内置65kHz开关频率7 H+ E/ v; P: B1 c8 N
● 轻载降低工作频率
$ a9 U1 m- C* H! M● 15ms倍频模式
3 Y* A7 u( L. `$ h! Z8 k; i# o● 可编程外置过温保护并进入latch
. c0 K' Y1 Q+ a' P9 r9 h● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
$ e* h* ^1 `% z● 内置前沿消隐电路5 r- o- n% K$ \% n- g7 |' x
● 内置输出二极管短路保护' w& C+ L( X& B- A- U% T! z1 P
● 内置过温保护并进入latch
) @8 R" ]9 p  I2 e* j4 u1 [  Q0 {! N: J● 过载保护, H& I% C( d, V+ Z  S
● SOT23-6L封装6 Q' x2 d- o& H7 g6 \5 w# V' q, G

7 h( A0 P5 b: V% S1 k, D基本应用
6 }' o# s* t5 d0 f) s
' \  B3 K5 p( A! y. H● AC/DC适配器# `) Z$ N7 ^% u
● 电机类适配器+ E- \& c7 R; M2 g- X
● 充电器
- N2 T  S0 j1 V# P) Z$ J● 存储设备电源
% a' Z9 S+ L+ u' B+ \: c0 [+ U
典型应用
1 S+ C2 s4 a& e8 D1 U
管脚排列
# R$ A3 a! \! F; X
管脚描述' Z& G/ l# l; W; Q6 j- s; y

( j) o% u4 `7 Z7 A5 a3 W一、样机规格
: [" j: ]  X. {1 v) P9 V( M9 Z' ?' m7 f& }
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
6 U/ L: H& k% _8 Y$ ~3 I* M$ M$ r* Q; Y* u( r' Y' c
修改参数:
- I7 B- f$ V. {# b9 f+ |! }' x  _2 j
7 ?( X6 u( P' x替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。6 T1 u; g# m/ b8 }
/ a( _8 i9 N. T
二、基本电性参数" v5 N: d9 Z) ?) j4 G0 V, Q
三、基本波形
+ B6 h* E9 `4 `* Q3 G2 l' x# F9 w5 h3 ?  y5 g
XX5533 264V/50HZ MOS波形
/ [% N7 @# P8 ?6 ?8 l4 \  m
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

& e( {' }' U/ M
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
+ V/ V9 j) @2 @! B) [9 B+ y
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

0 ~6 x/ {& e9 k% w
XX5533 264V/50HZ GATE波形

  L1 V6 I. ?7 @$ p. p: k& L& w
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

3 J1 ]! H5 G, e
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

, i" F% a& a9 @- Z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
7 l2 N# a' t# d! U, K& ^/ P
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
0 T; Z$ G0 X, @3 p2 M- g( _
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

: f: f1 R. [( ~" C7 B  t1 A
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

- ]0 M: a1 \, Y4 O
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
! L4 f7 _. q' B: e) t: O
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

) E2 X+ e# M' U# P* k1 N2 f
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

% _" l3 x" U; i- K  D$ v) T对比结果. I2 M. _: I) [7 c

- g! s0 i' v  `电性基本一致,CR6890H效率更高。
2 y: h* v% H* X4 h$ g1 ]  D/ B) ?4 {3 ]2 ^: F, W0 i8 X9 y3 _

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