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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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, e2 P% u+ n9 T3 d, w" ^$ V当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。& C/ \* x+ y1 J( c
+ y' ]0 ]' [9 C2 W! W
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!% M4 X5 O8 x0 X
* l5 d* x2 N# Z6 R( M* G) C" F关于CR6890H
k, b' |# \' A& N* b. H
! b' ]/ f% U8 xCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
; @; P0 L0 T; ^ [. h# |7 f2 P& |1 d& X- O% Z
主要特点8 b* m7 R) }# ^) ^' W$ l9 V
E. |# n* L3 B; J● 较低的启动电流(大约3μA)9 W) j$ x; q7 x% t; x# \; r+ H
● 内置软启动减少MOSFET应力' I7 I+ [ r) p ~' T5 y
● CCM+PFM控制模式; S( v: X7 A) z
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
, B4 s+ ]3 t# c● 内建频率抖动功能,降低EMI7 s) I5 C# j- J$ @& z" G! L% T* v
● 内置65kHz开关频率
0 i% {6 K P4 D4 A* q● 轻载降低工作频率) z7 `9 _ W D! e/ o1 [
● 15ms倍频模式
# t9 w% E$ U) g! X1 I● 可编程外置过温保护并进入latch
y& U, o+ R) A7 k% G● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch+ [; N3 Y: v7 y7 D- w* S; ~
● 内置前沿消隐电路. R' n2 L% x: z
● 内置输出二极管短路保护, g* C* r2 }1 ^1 `4 V y1 T
● 内置过温保护并进入latch3 \6 b" G( j/ d2 I+ \4 k$ z
● 过载保护
_# z2 m- e8 E6 y* D; k● SOT23-6L封装
) K h" k/ @/ T: z" X& ~0 _; z! i1 O l; p; W I
基本应用0 z/ ?7 \3 y1 B2 Q! N; m P
. \/ A4 _; b! b0 m+ \3 n$ [8 e● AC/DC适配器2 H( q* j1 b; h; ?: V9 H1 P, ~
● 电机类适配器
! a6 q- W1 D$ {/ u. N5 r4 k● 充电器
/ w2 {6 p: c0 u9 C1 D& X● 存储设备电源
% } t' w% ]* \2 v. B G& ~1 ^4 g$ Q- Q9 L# ^6 w8 x
典型应用
* l; i4 o; j1 F$ @6 q管脚排列6 J; Y L9 Z! v% p, }* m" ^
管脚描述& s* O9 b$ z2 K8 V- F \, u$ T* B; ?
" X$ P4 ^- Y K+ d! E9 Q4 c3 b: {# G1 X
一、样机规格8 N7 ]- U% v; R* L& `, a
' D9 y* C" [2 }输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
. ]/ K" j. U5 L* K$ \4 h7 l5 \6 Q+ ]5 B
修改参数:
t9 S3 R" f4 }4 u% f2 `
/ S; S0 j2 z& |" R a# V替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
$ \' ?/ ~" H& L! F6 f
2 s' ~* D9 ~; S4 C( I0 @二、基本电性参数5 c2 t' y/ s f ^- r2 W' i/ M( i4 E
三、基本波形
2 [. V5 ]9 i2 N4 e6 n
) U4 O$ j: P0 a M# L" rXX5533 264V/50HZ MOS波形 6 j" B2 q5 T( k8 q
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
5 U% p; i9 q: I, j6 xXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 7 }9 m3 W' Y8 m4 p2 d
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 " W* m2 M2 K- K! ]0 @
XX5533 264V/50HZ GATE波形
& @' ~( G& o0 o0 T ?CR6890H 264V/50HZ GATE波形
- _/ F: C2 w' jXX5533 230V/50HZ 传导波形 N
6 v) L/ C6 o9 X1 p' G( WXX5533 230V/50HZ 传导波形 L & y: e4 J R3 E2 I2 Q" l( D! k
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N * u4 H- f9 c% o
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 9 s! c$ y( S7 h2 o& Z/ g; b
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 " X! L( n6 R* `5 V4 {, R3 @7 x
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 3 x8 B9 K/ D+ E& p/ a$ O
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 4 Z. r. C3 e! |3 f T
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 3 W( a) ~, u& n) G: q5 s
对比结果
& `- M1 ]5 m9 {9 I; Z/ s9 P* Q- p' F) B: s7 m
电性基本一致,CR6890H效率更高。" T( Y g3 { c0 v
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