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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
7 u5 V* y3 b4 G: A  f1 w/ J2 z5 w1 d, Z% f! P3 l( [# d. K
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
3 D2 }. j! M2 h$ A
- P2 W/ r  q6 K: K  n5 t5 w电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!* d* `) o% }6 b5 ^4 o' Q( g

# L" f1 K% _" P$ A( {. ?关于CR6890H) Q% l: Z' Y/ n0 Z

4 c8 H5 S4 }2 j) CCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。0 W  J% O0 X3 C

# x2 r- A9 O1 a- w4 ~9 B# q主要特点; o  O  \. B* a. p  O

; j/ ?7 W; @/ ]# Q6 @● 较低的启动电流(大约3μA)
& ]: F9 p6 d8 q$ B, ?, v● 内置软启动减少MOSFET应力# \" H$ a7 ~; t: O1 S8 D
● CCM+PFM控制模式
9 e9 a+ B; X& `, }● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡4 m: }3 i; ?" |, z# w; e2 z/ r' i0 a
● 内建频率抖动功能,降低EMI
# }+ [  b9 ]& t9 c% t' v● 内置65kHz开关频率
/ j& u' g* y' p; Z7 i) E2 ]! H● 轻载降低工作频率8 j# O/ r1 f$ s" {
● 15ms倍频模式
( y6 }+ h) n  K* E+ u● 可编程外置过温保护并进入latch% {: C0 p0 T5 S- ^
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch" i& W! \3 H- p
● 内置前沿消隐电路
+ e3 V3 f9 U! e+ J● 内置输出二极管短路保护
, z! h3 q7 X  ]) i( ]● 内置过温保护并进入latch7 s$ I, X0 H& o- n- l3 `* K
● 过载保护! c- c  W* A* i: C3 M
● SOT23-6L封装" R* T6 F# e9 _# s

- ]% i1 x; H0 d2 u; G8 V) E" H- }基本应用+ q& E4 e  U- H/ W' _- a

2 x9 \+ L5 |0 \1 W● AC/DC适配器
$ Z- j' r9 z6 W7 \+ r● 电机类适配器3 ^1 f* E$ s8 a" }4 {  d8 c; v0 ?- }
● 充电器1 m$ ?! U. U  F. q; ?' l
● 存储设备电源
( m, s9 e+ B; A' i
) l% J. B% w# Y9 `, A典型应用
4 T1 ?! e; w4 H$ ~4 E$ e+ W
管脚排列
# p) E: P& M  k; y" P0 x! }
管脚描述
7 m- z8 }$ P* F4 @, I

; D  \8 @& H# h一、样机规格0 t$ k. B. m5 S% T5 O; o$ C* J

) L- E% s0 d. b8 S输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
8 \2 J) o* ]' B2 y* O/ t" Q, }' ?0 U. i- h+ p7 l9 U
修改参数:6 u3 z2 ^5 n- Q3 l  B% {# ~

. l9 x, ?  _: E$ a5 Z替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。4 d: ?. q: J0 @* [; d* Z

! E# y0 l0 M) ?0 B( \1 T二、基本电性参数0 ]+ F$ F, L' q) d
三、基本波形
! [- J# E, u3 U& q  y- w2 P
2 D4 e* k9 D+ X2 m9 m* C. a; C1 Y
XX5533 264V/50HZ MOS波形
" p3 X9 q; q. w! h
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
+ F1 m& S, K9 c5 V! J
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
  E- v4 W" r% m! V- k& l
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

; \3 J* F- R* L1 n( p2 v
XX5533 264V/50HZ GATE波形

3 m; i5 z4 h( A7 R% J/ G" t
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
1 j0 f4 f+ l1 ?' x* R- T% d
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
6 t0 x1 o% {! D# J* [4 t! Y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

( g0 |6 k: {) h3 Z6 O6 L+ }
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
, S( G- n1 I- X8 c  Z6 M8 D& a' z
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
. q% i! \  A. H/ x" i
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

1 U8 J, B% }1 W
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
* S, ~2 T/ B! g9 \
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
1 B/ J0 R+ q: n" w1 b& \# X% T' e& i' N
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

: c% f2 i/ K. y& \3 z* f对比结果: S' x( Z% @1 d) F! ]& z" d3 ]# `

, _) @/ a0 K. x2 z电性基本一致,CR6890H效率更高。
& A- I) x7 K% H2 C' e
) y) z6 S$ P& r9 \6 b: g

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