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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
- O) g' a3 t6 y: G8 v2 r- L5 i* |. k- ]& @2 w% k8 R
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
7 ?6 X- [6 R& d( z7 b  N. I) R
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!# v6 {( n- k4 u2 d- w8 Q- f

( ]4 g6 `( H# u9 @6 K; @0 p# K关于CR6890H9 ^, p( {  o: S" K6 U0 m: d

2 T# v1 Z/ ^; U% _4 p2 KCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
+ J/ f9 z6 i8 v0 ?8 B6 q! ^. J# |. R& U; ~4 T" T. }7 T5 Q
主要特点
  f0 u: T% ]; z* Q1 Z6 l# P" m7 |( B+ o/ v5 K7 M+ Q
● 较低的启动电流(大约3μA): f, {( X. G( S; G
● 内置软启动减少MOSFET应力! S! I- W# F8 g1 x
● CCM+PFM控制模式
& \3 J2 K: t: C; k+ j7 e" Z● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
% d5 R+ g/ e$ n3 q$ |" j● 内建频率抖动功能,降低EMI
1 T3 c$ U7 H. y, Y! E● 内置65kHz开关频率7 H$ F/ K+ \3 {% V9 ^" ?* V
● 轻载降低工作频率% I! h) [- j! t4 W8 X
● 15ms倍频模式
1 w; t0 O' n/ k● 可编程外置过温保护并进入latch
) w* Q  T9 w1 i/ V7 e4 l% D● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
% O7 o) X# `- o, M9 b' C0 A( c● 内置前沿消隐电路
: \) j& r5 Q' J● 内置输出二极管短路保护  w/ H! ?0 o: V- t
● 内置过温保护并进入latch
: q5 F$ l* _- ?+ n6 ?● 过载保护
, e" k' V& q/ N% J# g9 a/ |● SOT23-6L封装6 m8 @& S* ^5 b" t3 [) t- a: R

2 T* `& g: a* ~  x8 o. k基本应用
- O0 I) Y4 e  F* }+ V+ v: r3 L, A) Y  ~' X! a
● AC/DC适配器
1 X  A  ]0 ^9 ?, M● 电机类适配器
- K/ b; f9 H6 a$ C1 z1 L6 [# p" Z● 充电器
+ G( Z! D( W; {- N9 T6 f9 T" w: M! U● 存储设备电源, c1 ^4 N  A5 C9 U4 E$ C, \' ]" g
! d/ M( j9 E$ ^' W& t9 Y
典型应用
2 D$ O) g- o" d+ S9 ^
管脚排列
3 I8 s) G; Y$ l/ ~2 I+ A
管脚描述7 l7 v2 q1 [; q: x( i

, p/ @8 z3 j0 W* I7 ^- y& f. N& @一、样机规格! q, }* i( ^* m" a7 Q
  F5 \2 F; t/ |3 G+ @
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
! Q* j8 z7 |) {! t: j( v  F/ b$ q; W( ?- K* w: g  C
修改参数:
  C: i9 J9 c% j9 Y$ A. {2 ?0 G9 {
% I+ M+ v( R  f0 y2 z+ e替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
. F5 d, w! ~. W
1 [4 E$ D! c& V, K& v5 G5 j! ?二、基本电性参数; H" A3 M% e# F# M1 j; R1 Q( u2 p
三、基本波形
  l" p: V3 u4 D- b* N4 r* P  t7 {; O! Y% j( i' A4 z9 j
XX5533 264V/50HZ MOS波形
3 L# z, @9 x8 N7 I% F' V( Z3 y& F
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
3 f' d% p! J8 N4 z( K
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
0 v9 \) a0 i) k2 D4 k
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
0 J* N( a9 ~5 A0 A" [
XX5533 264V/50HZ GATE波形
: j9 w9 a6 ^  g: K
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

7 f9 g6 a1 e; J
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
+ a9 B4 d) j7 Z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
+ T  R# S$ k6 L% x8 o7 b
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

. M  E% `1 b5 V) h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

+ H9 D/ V8 ^% e+ S2 m% K
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

; |2 v# g' |* h
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
8 a# W4 i7 d; z2 M
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

( X" n3 s. f' K8 \+ |& q% m  p- u
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
8 d+ u5 _& u" b! O
对比结果* I1 i& K6 i5 x5 K. R# L

! T7 @* k$ L& b4 l; M* A" e电性基本一致,CR6890H效率更高。
( \9 A( X6 p/ L) {
; A1 S( B3 w. e

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