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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
) m$ f; d+ h! T) ^( Q3 K5 |' C* R' P- u; |) _, I9 |
当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
. Q$ c9 C+ K4 r d* D7 S$ |8 r( `. D2 M" W# c* u
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
5 R+ p3 n' n: [$ I- Q6 Y3 X$ w5 o8 o! I: `1 S8 F% z/ {
关于CR6890H" c* Q/ ~4 P, T& p
( O R/ i$ V: u. ~
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。: Y; f. v& o, d
9 ], D$ y$ k$ T9 `( X; ^主要特点
. h* F. ?. L8 Q" D
. l% m, e4 p, n+ K m● 较低的启动电流(大约3μA)! T! z+ t8 f8 v, X l' Z, s& d
● 内置软启动减少MOSFET应力+ c' ?8 B' S5 R- K" F
● CCM+PFM控制模式
; m: L$ V3 o' @; t' T, m● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
. ]! I# K# O5 W/ @. }● 内建频率抖动功能，降低EMI
8 _6 d% _, L# y6 d! b+ k● 内置65kHz开关频率
1 t) K. X$ q3 B. k7 w' [; e6 p● 轻载降低工作频率, V( C3 O% F' E% e% X) h b' X2 W# ?
● 15ms倍频模式: P }7 e' k, u; D6 P
● 可编程外置过温保护并进入latch, `5 O- Q+ ~ ~9 G% j& |
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
! k9 R% Q! u! M* n+ }# G5 f/ F● 内置前沿消隐电路4 @$ H! y5 W$ D9 u$ Z7 |# `
● 内置输出二极管短路保护1 j9 Q/ P' w" \/ `8 l
● 内置过温保护并进入latch4 }- ~2 q1 p' \1 H# A1 {( _. ?
● 过载保护
8 [$ H: Q9 T- E● SOT23-6L封装; q+ p9 L0 s0 C P
9 J0 [) c; J) f5 z5 ?
基本应用
0 {' P+ W4 ?- C5 K" A7 T' s' ?5 |2 z+ F0 s0 s
● AC/DC适配器7 B" C( l* _- r( l
● 电机类适配器* C1 k2 C2 H4 C6 e! g+ d1 m" B
● 充电器
6 Q) P! v1 u7 ] q# Y! @, G) {● 存储设备电源
- f- {$ u% T: o1 P4 z
# g, I5 G9 I+ J典型应用
6 h2 r0 N8 g, U管脚排列
8 X5 |9 M4 H1 ^4 B) D+ N管脚描述& p# I* s' ~2 ?. j: T; z
% e7 m. _4 L" l7 X5 I/ \( y
一、样机规格5 q) t* @$ Q; Q9 a% _; y
! z. P$ [ y& v输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。: L4 l; ^) A" q8 q/ | e i6 F1 |" X
0 @& i; R3 i/ H e7 n" l) W$ h3 a6 V
修改参数：3 f7 s- u. R) \
y; R& L& N$ Y' D替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
* E9 u5 y4 i7 o5 D9 k7 n6 p0 N( d* Z X+ h4 |. P+ x
二、基本电性参数
3 d; ]$ S9 T% Q. i8 \) _三、基本波形
' A# r) q P- ^" U/ @8 z
& W8 z- ~1 w. u, t9 PXX5533 264V/50HZ MOS波形
7 P/ T8 }; o% Y8 L/ ~* `# b3 Y) TCR6890H 264V/50HZ MOS波形
" t0 Z- R# y+ BXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 $ B* @( i; R* k
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
1 ^7 r0 o1 i3 \- ^- `8 e, \XX5533 264V/50HZ GATE波形 # P! s3 G. K+ D0 `1 p
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
4 R- B. D9 Y9 B/ U/ i/ X* WXX5533 230V/50HZ 传导波形 N
/ z1 u3 C# Z* T0 tXX5533 230V/50HZ 传导波形 L
/ x1 \& N- k" K: a3 b, H% R( F4 a7 FCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N 5 [! _3 j) W( X1 e
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 7 H* a' R5 e5 ^& j
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
! u6 ]1 Z" O, x7 j$ r0 w: [, {+ KXX5533 230V/50HZ 辐射波形
2 C! j# q( w9 zCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 7 _. ]& e5 L* C! b. [, I
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
, `7 G" z W1 K- X1 L: z对比结果
3 K/ ~' P% b7 A+ k0 n0 O x
5 p' e" D+ S3 Y8 ]9 j电性基本一致，CR6890H效率更高。* r1 O0 d1 B. J& k
9 k, W+ j4 U$ {( y
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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