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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。4 L. F7 q* s$ O \0 \& D) s( `4 h
$ x7 n) l; P% y1 _( p
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
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- w8 L1 G# z" U- I- ~* ^% `8 Q, i关于CR6890H# ^* Y5 f- |1 C$ s# _
+ h1 [, p; H' C* A1 S0 d- I* R1 }2 pCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
4 w1 {) u* ]: Z, q: I2 \ A
0 b1 |1 H( l; P1 o& T主要特点$ i- v. T7 L% w* x
' g D. l+ J! E' S. }( h● 较低的启动电流(大约3μA)
7 r" |$ p* B# E* m+ t# F● 内置软启动减少MOSFET应力
+ ?& P# d; r" ]2 B% t● CCM+PFM控制模式
4 T& U2 _, T. z5 P● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡* u* Q, G" [ P4 Q4 H! y
● 内建频率抖动功能，降低EMI6 R/ g v3 K1 w* i& `
● 内置65kHz开关频率8 r. G, s; E t1 t6 V( V& ~
● 轻载降低工作频率: g2 |0 d) j4 `, Z: Y, ^" r
● 15ms倍频模式( c! I0 l" Z& [5 I! c( a; ?! e
● 可编程外置过温保护并进入latch/ C% H; l% ^9 R0 l5 ] k9 G
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch4 a& P% N4 ?& l+ Y* ~- T
● 内置前沿消隐电路
( h/ _( v$ M* { j& S● 内置输出二极管短路保护
7 E1 [; Z( e% W3 v0 x: M o● 内置过温保护并进入latch+ H( Z8 y' x4 ~ g5 `
● 过载保护6 y6 X) |- q( l1 v0 u4 \2 J' l
● SOT23-6L封装
' x% b0 S8 J. u: N3 p, |8 w% a+ [: m! e8 N: C
基本应用
% S e. M; E. D( Z! [+ n2 w5 M$ b/ l1 I6 } B8 c; F; o+ I
● AC/DC适配器
/ P/ b+ c$ b+ A● 电机类适配器: Z- G ?. u D8 F, J
● 充电器) @8 E' D2 J. g! ^' `; h* t
● 存储设备电源0 E1 |- l" p7 B5 P4 n2 J
5 [" t0 i9 j2 h; y F# Z1 n典型应用
) M9 \6 I1 [6 o' o4 v0 x( J管脚排列% v* D6 ~% k7 S9 [
管脚描述$ _2 _7 u+ O+ T
5 r7 H; R8 r* i) r' V- {! v8 e7 Y Z' G! c
一、样机规格 d9 o7 C( H# q, l( s. ~% @
* N. {# e) n# Q' L0 w/ H
输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。 Q* a a% Y8 a
0 _* h1 {' ?5 b* Z: T: D8 p; B修改参数：
, g5 j# b$ w' O7 ^0 k6 x; _8 t- l; A/ o" w' A1 C* n! `
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
( E f, F' d7 l" p6 b# s( M0 O5 h
! c$ X7 O) K) X( }6 n1 e) x* [3 N5 [二、基本电性参数
W: K! B% @7 @三、基本波形
( R# r- e1 O U: }% s# d
- u0 `5 l3 _+ `5 d2 JXX5533 264V/50HZ MOS波形 m1 [5 N- h! T; i3 w
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
. e, s6 i" n: z$ X7 y+ UXX5533 264V/50HZ 肖特基波形
" {& R8 T/ L( n }+ R6 }CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
\% C1 K; ~6 W# v# e' pXX5533 264V/50HZ GATE波形 # S0 e7 T; W v# S6 C
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
& c4 U( M# F; C9 c! ?1 RXX5533 230V/50HZ 传导波形 N 2 y/ p I! R9 w* _1 s
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L & V+ J7 ` l9 P, k1 ?
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
" c) P5 l8 h: a( b9 FCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
2 \6 N: |2 U$ L2 K4 H) T) P' lXX5533 230V/50HZ 辐射波形
. q9 W+ h) c% l. F; oXX5533 230V/50HZ 辐射波形 2 G3 z! m. d f: O; V6 b3 I0 l
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
; g2 s! e% k9 z+ D ]CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
: k3 \3 N3 F* p8 U4 ]! l6 k3 Z对比结果+ l- L+ T' N/ P$ O5 D! H
, s8 K7 u9 ~9 u6 j, b& s电性基本一致，CR6890H效率更高。
7 E8 a- X; i7 k$ d) a" Z
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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