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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。$ M" o% w, G' J$ I
6 ]( `( Y/ H$ G: F' X$ `+ u% s电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！- y& d8 Z, I( e# p9 ^1 W
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关于CR6890H
1 @- [7 q# F, ?0 Q; \8 T8 }! ^% O! J5 t7 F3 N/ H# d
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
- h/ h3 V) n) Q3 W+ j8 q. K6 C) d, R& o# k4 n3 Q. l0 @, ?
主要特点& ]9 q4 T- E2 i# ]. L9 i$ A
+ b( Y. }! j4 J7 H8 E● 较低的启动电流(大约3μA)
G& g9 [' ^; w+ C. ]3 Y4 }# x● 内置软启动减少MOSFET应力% v. J9 _- n2 w0 {
● CCM+PFM控制模式1 |5 s( K6 U r$ z7 |" V
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡% H& P& m( c. y* y% | r
● 内建频率抖动功能，降低EMI
# \) Q/ A ?& U" c t" W● 内置65kHz开关频率
% F, s1 ^# O3 u! V# l● 轻载降低工作频率1 ]7 v# ~8 K; ^
● 15ms倍频模式' x9 c+ z% a' M$ a% S" ^
● 可编程外置过温保护并进入latch+ l, l) I# j8 i& r" C) C4 M3 P# |
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
+ S3 q- I% ~0 [2 n6 U8 @● 内置前沿消隐电路% |/ e6 k% ~! u0 Y) Z
● 内置输出二极管短路保护
4 K0 l9 Z0 S/ b; @8 b4 c a● 内置过温保护并进入latch
. M6 s( R9 D+ s$ r- v! M' t● 过载保护
1 ]8 m" S. S+ Z1 w● SOT23-6L封装
& c% b: l4 J% o: E5 `( o1 M0 D2 Q* M' l, w- F& m9 \
基本应用7 z2 F) u2 G! ~( v0 N1 T+ ?. e% I
6 F+ b! G! t$ |: X p4 i6 [● AC/DC适配器$ }' _0 ~" q0 o2 b' f
● 电机类适配器
6 N7 v( B5 K( }! O! y● 充电器& F: S: m! @5 P3 p
● 存储设备电源
) a3 V2 k# O# [9 ^9 ~- A1 h3 Y& q+ Y2 P* n7 m
典型应用5 Q/ k4 c/ L% f/ K" u3 {
管脚排列: p1 o* i! A X9 j
管脚描述5 G" V- r: r; M, L: F
4 j: q2 E# n% t
一、样机规格
6 G/ _& `- H5 V2 Y- `& A& Q/ t! K+ S8 @: A7 @; Q2 {# @" _1 b8 H
输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。: J( _6 e# X* A7 I" s
. o$ j0 e, B7 d f6 D Q5 f, v5 Z修改参数：
; M$ u0 s6 T, z% l0 s9 R& ~8 N1 z" ~& u Y
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
5 T) o& q3 e6 I% O9 j& D) Z% f+ ]! }4 \& r `0 S/ d' z
二、基本电性参数2 k, X2 y1 l4 h( n1 T7 R
三、基本波形
6 \4 V: \- z, o7 n" U
7 H( g! l. I3 c: h$ R" o XXX5533 264V/50HZ MOS波形
% K& Q2 n% i8 \CR6890H 264V/50HZ MOS波形
3 ^4 S. z* _7 _, x6 r! J# d, e$ c/ ]XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
; x }/ S( a5 k7 xCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 - X' G$ C8 M% f6 f
XX5533 264V/50HZ GATE波形
! E8 `% E% g N% T. `CR6890H 264V/50HZ GATE波形
$ j7 ^& G$ q9 f8 d1 PXX5533 230V/50HZ 传导波形 N : [3 P- b+ \7 J/ b, ?$ h
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
) z+ C: m, D: {7 {! W( n) d' Q W, `CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
4 m# v2 c4 p* \CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
( ^ i( U! n( Y# ~- K/ HXX5533 230V/50HZ 辐射波形 ' E- o' ]) V( h8 G6 W' L a2 ]
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
* X. [' u4 I3 c. c0 v( ?CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 3 H; r: n- X( q* p; a8 A" b
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
1 t$ e! V5 m7 Z$ @: V对比结果
9 n4 |: d. z% s: Q2 p$ H2 V, q W: F# Z9 R
电性基本一致，CR6890H效率更高。/ _4 P; E5 K7 d5 m; a. j
! M6 Y( r; V S6 ?: E |
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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