|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-24 16:44 编辑 % J2 ^- U- q2 V8 U# U* H x+ C$ h
* c1 G& |- S! {0 [; E: G# }在之前的文章中,我们介绍了本公司主推的CR6890H和电源IC XX5533的对比测试。结果是本公司主推的CR6890H效率更高。接下来,我们将介绍另外两款电源IC对比测试——公司主推的CR6842&XX2269对比测试。详细内容如下:4 y7 }5 T# }9 ?- S5 c. [3 t
( r; L4 ^/ p; B8 Z" R! G3 s8 z关于本公司主推CR6842——高集成度电流模式PWM控制器
0 f1 u9 Y3 o2 A$ s# Q. q, f: L/ s1 T/ y# K- p
CR6842是一款高度集成的电流控制型 PWM 控制器,可用于中型到大型的离线式电源转化器。
9 k6 I# g5 z7 b8 N/ x1 S7 P" t6 f' ~$ X/ I5 k9 H4 ~
为了减少待机功耗和提升效率,CR6842集成了多种工作模式。随着负载的变化,CR6842可以工作在三种不同的模式,并且每种模式都做了优化。当负载很重时,系统工作在传统的PWM(脉冲宽度调制)模式。当负载变轻时,系统进入PFM(脉冲频率调制)模式。在 PFM 模式下,随着负载的逐渐变轻,开关频率也逐渐的减小。CR6842 中独有的频率变换模块可以使开关频率平滑降低而不产生噪声。由于频率的降低,开关损耗也被有效的减小了。当负载继续降低而低于某一设定值时,系统进入PSM(跳频调制)模式。在PSM模式下,一些开关周期被跳过,这些周期内开关管完全关断,因此这种模式可进一步降低待机功耗。在上述的三种工作模式下,都集成了频率抖动功能,来提升系统的 EMI 特性。
5 m* q) S9 |% s9 u* r1 A- A) T5 A, d/ p: l3 N% r
芯片还集成了恒功率限制模块来使系统在全电压范围(90V~264V)内输出恒定的功率。- j8 ?! T* ]7 r; B3 j% ]% q
* K- ]7 j3 W4 u! T
CR6842集成了多种功能和保护特性,包括欠压锁定(UVLO),VDD过压保护(OVP),软启,附加可编程过温保护(OTP),逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP),所有引脚悬空保护,RI引脚的对地短路保护,GATE端箝位,VDD箝位,前沿消隐。
) i! ]. N: n1 ^+ |3 c/ R9 H4 T9 U! s( S% b
CR6842有SOP-8和DIP-8两种封装形式。! ^$ L7 V' T( a5 q
, O: k8 }* ^, m9 Y主要特点
& e' z, [" L3 m- k4 `, ] m3 L1 }7 g* ^* I" O' I
● 低启动电流
0 v6 q J7 ~" |) B r5 V L● 内置软启动6 H1 Z! o* Z( v1 N3 ~4 u* x. U
● 绿色模式独有的变频和跳频工作模式. k' ]+ F* {$ {# q) D _
● 良好的EMI特性6 z, t' ?. @& G/ `; }+ H
● 电流模式控制
: ]& R( a7 n5 O9 s9 U● 内置斜坡补偿& P+ g" d$ d3 K+ f) b
● 内置前沿消隐0 H9 i/ y3 i; P+ y) S
● 可编程开关频率
6 Z1 q' r Y/ [3 a$ o" S* }* g● 所有引脚的悬空保护0 _3 V4 o5 W5 T- v K
● 零噪声工作
i" O! I8 j X- E. e+ `● 外置可编程过温保护; Z5 L& @+ m+ _6 |
● VDD端过压保护1 H6 x. M# b4 Z2 P3 a0 [
● 过载保护5 b5 q# a" V) s2 J" U" z
● 逐周期过流保护5 Z* d( e, b; c) H8 {
( a; d" m7 w9 N+ P; B基本应用
+ K9 u! [3 V) h% F7 x5 X! |" a6 b# F2 x. I8 Z, N
离线式反激 AC/DC 变化器用于2 y% J3 u3 z* G1 d! ?% q) C7 M
● 电源适配器
- p- z8 |/ |& G5 O# @' ?1 O● 开放式电源
~0 z' ^' z; C! z' a* U% q$ q4 F● ATX待机电源
+ H/ s- K+ T* x● 电池充电器
+ X. J0 u4 B9 k, v, O3 i7 r1 z9 o' W( y4 e! @5 z
引脚分布
; P- `5 N% |7 i9 h: i2 [8 v8 O* F' P7 _# l1 I
引脚描述, K6 `) Y2 X E( ^7 f# s" w9 G
( o. @7 b) H D C) S9 u( Z
典型应用
$ N( h0 M* E' p$ ]
& d( v& M+ v) E9 }3 ~5 g) ?CR6842&XX2269对比测试报告) x( K9 V6 n9 U
. b0 i. C! n9 T; S) b, o一、客户样机
# v% n1 x2 ] _- ?6 M, |3 A. q3 d/ U' Q4 K2 N: `- |! a5 `
输出电压18V、输出负载4A。4 z6 o' B' x. D
+ v( ~) N3 I1 L8 ~+ u% ?. Z% [7 m修改参数:直接替换IC,其他无更改。6 y7 u) H) z1 t& h
* B( ^, N2 \+ r! r二、基本电性参数6 ~9 ^$ z; E0 X2 m
; [1 x3 h+ |# C7 A; _# o( H. ~$ i( A% ]" x( f
三、基本波形
( a$ `! k/ `* O7 u) G+ F
* I- T& K+ P8 q9 ?# C. NXX2269 90V/60HZ输出纹波
T/ {; L0 M' F' G0 A2 R% `CR6842 90V/60HZ输出纹波 7 J% Q% X& r% A9 B$ B2 v0 X+ S
XX2269 264V/50HZ输出纹波
! L3 X* ?( c. ]$ O* ~& P+ R- x2 kCR6842 264V/50HZ输出纹波 , l y' C( O8 d: e/ s- x
XX2269 90V/60HZ MOS波形 * p3 a4 U% k/ E& v
CR6842 90V/60HZ MOS波形 : R9 y1 P! K4 f& F/ f1 T5 C2 c9 ]
XX2269 90V/60HZ 肖特基波形 ' D" m3 f0 l) D! z- e) U* V
CR6842 90V/60HZ 肖特基波形
/ b" N0 K$ }+ j9 E. [9 KXX2269 90V/60HZ GATE波形
# {5 N" j1 E- iCR6842 90V/60HZ GATE波形
% I4 v1 U7 z+ R( \XX2269 90V/60HZ CS波形 v8 t! U1 h: q3 y" E) x
CR6842 90V/60HZ CS波形 ' v# P; a, r" d( ?
XX2269 264V/50HZ MOS波形 7 G3 H8 m8 c; q+ N
CR6842 264V/50HZ MOS波形 ( }: D* \5 G/ b
XX2269 264V/50HZ 肖特基波形 3 B% e/ J7 b& [% Z7 n: K
CR6842 264V/50HZ 肖特基波形
4 N6 A4 t9 _* C7 c$ B# AXX2269 264V/50HZ GATE波形
0 O3 O2 B7 Y( S5 ~2 VCR6842 264V/50HZ GATE波形 - ?3 R3 d4 m5 d
XX2269 264V/50HZ CS波形 1 }5 V( ^. F) |, T
CR6842 264V/50HZ CS波形 + x) A, B4 `$ |8 s" r6 b
对比结果8 ]: p V. X8 Y' d% K& e& b; y" W
0 F+ T0 K- z+ f# F& V+ k4 `
两者电性基本一致,但CR6842效率更高,推荐使用。
& ?, K: O* N8 E% Z1 Z! W& U) x- V% D% @# I
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|