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关于稳定性和功耗问题,这两款芯片怎么选?看对比就懂了

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发表于 2023-4-27 10:50:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-4-27 10:54 编辑
- f; J% z& A; f5 u/ N+ t* W/ O) F9 ]- f6 Z$ V/ Q1 C
电源管理芯片的正确选择对电源适配器/充电器来说至关重要,它关系到电源适配器/充电器的稳定性、功耗和效率等问题。本篇文章将向您介绍本公司主推CR6853B和XX2263的对比测试报告,看看选择哪款电源管理芯片更合适。
4 I8 ^  `* |& s* r3 O7 }4 z# {  |
' o6 ~7 m; p. b( E, n3 X) i8 V关于公司主推的CR6853B/ V7 ^) L9 E: C3 q

+ I" K8 O; [1 D7 FCR6853B是一款高集成度,低功耗的电流模 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可以通过外接电阻改变工作频率;在轻载和无负载情况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。- q+ q1 @$ [  Y5 S" R( J% ]: ^
% n- h4 A* _, ?6 R- ]- |- |
CR6853B具有很低的启动电流,因此可以采用一个2兆欧姆的启动电阻。为了提高系统的稳定性,防止次谐波振荡,CR6853B内置了同步斜坡补偿电路;而动态峰值限制电路减小了在宽电压输入(90V~264V)时最大输出功率的变化;内置的前沿消隐电路可以消除开关管每次开启产生的干扰。CR6853B内置了多种保护功能:过压保护 、逐周期峰值电流限制、欠压锁定(可以用它实现短路和过流保护)以及输出驱动的高电平钳位在 18.0V 以下。而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效降低了开关噪声。CR6853B提供SOT23-6L,SOP-8L和DIP-8L无铅封装。
  n* T) ?# j( P2 ]  P, x% a# U1 g1 B/ d
主要特点2 N( P- {+ Z" {$ E6 t3 V
$ _4 L9 @. N4 b8 Z% c( c; |* V2 o" P
● 低成本、PWM&PFM&CRM (周期复位模式)控制8 |1 O# R% R/ E
● 低启动电流 (约3μA)- c, Z" a8 V. V- g6 m
● 低工作电流 (约1.2mA)
- S( n6 q: _, V+ {- e* D7 N" h' Y: h● 电流模式控制5 z5 d) y, b6 E7 }1 F1 A$ y: i
● 内置同步斜坡补偿
. _4 a- ~+ r1 ^8 ]- F3 q0 Z% `● 低EMI技术
8 e3 M9 r5 v: u5 t3 }* g8 l/ w● PWM频率外部可调* I) {1 l) Y8 W* d4 G
● 轻载工作无音频噪音9 C3 h6 k. H* a* q8 b3 J
● 内置前沿消隐" h1 @+ K+ F+ x! o! c6 }) d8 f7 h
● 在输入90V~264V的宽电压下可实现恒定最大输出功率4 @- \3 N7 P# x9 H
● GATE引脚驱动输出高电平钳位18.0V
% k/ g$ s0 Q" i9 d# q/ @0 f● VDD引脚过压保护34.0V
+ a5 W( u" j; R$ _● 欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、短路保护、过载保护等保护功能* k" R5 {0 e6 e9 v; w9 o3 ^
● 具有自动恢复的保护功能
0 ?8 H; Q8 _% K, K+ t/ p* t● 高压BiCMOS工艺. H. u! M, }$ [6 {# Q
● SOT23-6L,SOP-8L ,DIP-8L 无铅封装2 G* A& f9 R# m" d9 I/ q( _

2 Q9 D$ r' w6 g6 ^; q2 q7 ^$ e应用
9 F4 X' e6 C' I  v, f$ n( h' ]: _& D+ p9 x
● AC/DC电源适配器
# |  r( B2 [& E8 p+ a● 电池充电器
; S" C+ y! E7 ~8 s● 开放式电源4 K6 c( i+ b" S8 S* v( l
● 备用开关电源
5 N3 Y0 b3 s9 k4 W% E; y% J● 机顶盒开关电源$ e, x1 o' B" ~5 l6 l$ }! Q
● LED照明电源# O* l5 g2 v7 @+ i+ Y) g! I

* A; n3 r, C8 R
管脚排列图

& A" v9 k' e, w6 M
9 e0 P8 A( d# j6 x% I* n' E  A

! l( [8 C3 O5 a  z, N引脚描述7 r) |" s. P' [8 E  W! p7 t2 [
4 V6 d+ G6 h: h* [& r% U

2 r  S. r+ S. n1 `
典型应用( R; p; b. y7 w0 i/ K

0 x% R0 @, I& B. F, r9 b" CCR6853B&XX2263对比测试
& q; Q5 q" {8 G/ O- r4 z
- N" H+ r; Q% b/ V3 z/ z一、样机规格
' {$ Y6 G/ b* B# U) W
5 W* y" y% F  w$ K4 z9 X输出电压13 V、输出负载1.5A、IC lot:6853N35。
+ z  q- z! ^  j" x2 B: Q
0 a  o: |( c  F7 ?
0 }1 _$ K9 f4 p0 @
' W* r# X" j) [4 e

) i- X0 M1 E/ J( _* e2 Y- D4 {修改参数:直接替换IC,其他无更改。
$ I. A! g+ B: N9 n# i( C1 R" e/ {3 K" a/ z. |& w
二、基本电性参数
& a. s3 T5 z4 r! W+ a. X1 [" o: t8 }4 e1 N8 T

, c- f3 k7 R9 f: G3 K" J( d! [三、基本波形2 s& [' t. d) k' Y! d6 u

, Z4 `! P! X2 y2 Z' G1 Q
XX2263 90V/60HZ输出纹波
1 p+ I1 H0 J9 n
CR6853B 90V/60HZ输出纹波

- s/ _( C  P4 w1 b2 K% s  o) t
XX2263 264V/50HZ输出纹波

4 V2 W% d/ Q2 ^" y8 j8 X- }
CR6853B 264V/50HZ输出纹波

' y9 C7 n/ t! L+ r5 z  C+ g
XX2263 90V/60HZ MOS波形
5 ^' r; ]9 r- }0 j6 L, ], X
CR6853B 90V/60HZ MOS波形

( I, u$ L% B% D1 F/ T$ K
XX2263 90V/60HZ 肖特基波形

) |; ^& q3 m* M, M/ x) q6 p) u
CR6853B 90V/60HZ 肖特基波形
1 J" m7 y( n  Y
XX2263 90V/60HZ GATE波形
+ G; o8 i7 ^4 ?7 U+ G# O. w; z7 O% E& M
CR6853B 90V/60HZ GATE波形
, I3 q3 q- G* Z# i, e
XX2263 90V/60HZ CS波形
/ P; X+ w% @! i7 w( [/ {4 C
CR6853B 90V/60HZ CS波形

, h6 i. g0 v8 M! b" n
XX2263 264V/50HZ MOS波形

- q! E% K9 K8 z2 `4 t. I4 p
CR6853B 264V/50HZ MOS波形
+ P! D/ f/ f5 ]7 ]' V& C3 Q9 s0 x3 e! [
XX2263 264V/50HZ 肖特基波形
3 D) O: o- i3 T( V, }
CR6853B 264V/50HZ 肖特基波形
' l( ~! ~! O9 b& l& ^
XX2263 264V/50HZ GATE波形

$ j! i/ [5 P# W$ x% @
CR6853B 264V/50HZ GATE波形
( v( t9 }+ W* c' ?4 r3 x
XX2263 264V/50HZ CS波形

  Y2 r7 d: h5 o
CR6853B 264V/50HZ CS波形

% `9 ^# ?  g) Q& u4 ^对比结果
' _& u8 j* V; a% N. ]
$ }3 B5 D, V1 J# \+ f两者电性基本一致,但公司主推的CR6853B效率更高,推荐使用。! Z1 ~1 d/ q. z+ r0 V8 k. i1 a

4 l. @  m6 w7 s4 W# x) L" z2 _9 E

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