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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ' D" q8 c0 r* x- T p) B/ q4 }# A4 W% x
3 j! a* o: l. L& _/ m3 K作者：屈工有话说. ?# |4 A$ c* M0 s8 }- M4 g
( |" S4 V/ A& w& w9 JPoE（Power over Ethernet）是一种有线以太网供电技术，网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统（POE，power over Ethernet）的DC/DC控制器，采用原边控制模式，内置200V高压MOS，具有较高的系统效率。- W5 e) \4 O( d# X/ j
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工程师在使用TT9930样机时发现，样机正常老化时，突然没有输出。经过排查后，怀疑MOS故障，本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片：$ }# }: s' A- m0 c Y# }
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TT9930 样机图片 8 `5 p: B% u5 y9 B' X7 y+ ~& y) G
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等- s1 `$ S' `; x- i
【规格】12V2A
/ ]' P, V* d! ~, D( ]【控制IC】TT9930: U. \1 P! D1 j. n. V/ a% c
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【问题描述】
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2 Y' M" S+ F* W! J* s. D; P: ]样机正常老化时，突然没有输出。经过排查后，发现MOS管击穿且MOS管很烫，怀疑MOS烧坏，于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片：$ d7 {1 l3 V. T8 c
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4 p+ _. Z/ L0 l3 k: \8 h点温测试：测试重要元器件的温度，该测试的元器件分别有三个IC（主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA）、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境，该测试在尽量密闭环境中进行，不会有大量空气流入，从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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+ ? z. Y: m: `* s1 n' S: f【解决思路】
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5 h' r6 T# P0 T& M. {9 B1、重新设计电源# @! R6 H- `+ r" n1 y2 x
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首先，分析导致温度过高的原因，对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案，例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件
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2 j$ z' [) K! G+ `/ O8 {应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件，同时可以适当增加元器件数量及规格。' Y+ @" |/ a2 b# A
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3、优化PCB布局
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$ }) T" P9 Y) g2 }合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰，降低损耗和温升，减少系统噪声，提高抗干扰性。% F1 n# d$ a+ F" f
6 ~6 r- ~9 O: t( J8 L7 u& A% K4、优化散热设计3 }/ N0 u% u T
2 N" ?0 C. r" p$ A, o1 |. d通过优化散热设计来降低温度，如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理
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# s, S7 o! E6 R+ h" h- W加强制造工艺控制和良品率管理，确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试，在生产过程中对电源进行多次测试，及时发现不合格产品，以便及早调整。
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【调通要点】+ L' `/ V+ i! C8 J7 _ T+ y
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如上图首先通过对各元器件进行点温，观察各元器件的温度变化，如图04号元器件为MOS管，点温才不到几分钟后，MOS的温度就达到了93.7度，而其它元器件温度较为正常，初步判定MOS管出现了问题。+ w t" S9 Y. G' U1 n; i
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' r; ~. K2 h- g9 v& D- G如上图为再经过几分钟后的元器件温度（01-08为各元器件测试温度），继续观察。
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如上图可以明显看到，虽然所有的元器件（01-08为各元器件测试温度）温度都在持续上升，但都没有特别大的异常，唯独MOS高达116的温度，可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。/ Y8 D R/ U0 y
2 |6 v2 I8 Z) T! S" M* R1 X( D【最终结果】7 G9 z2 `8 X3 N3 y" M+ {9 ?
% K: p% U# n# n: M3 ?! f1 K经过测试后发现，测试元器件的温度都在正常范围内，唯独MOS管的温度变化格外异常（01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温），经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管，然后再进行老化及温度测试，样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片：- P; b' `$ E) F# l2 F3 Q
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该图为样机老化6小时后的温度，各器件温度已经稳定，全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右，离击穿温度还有很大的余量，完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善，则需要考虑是否为布局问题，可能要重新设计。
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发表于 2023-6-21 10:21:57
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