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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 6 H1 O% H: I, e- q

$ ?: V6 D$ n) V% O- I9 j# n+ d作者:屈工有话说
" q2 y2 G0 ~" e% |+ `& \, Y, {; `4 Q, V
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。! |& E+ ~2 K4 c
" b- s$ O6 P  c7 _. W2 y
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片

6 W1 M. Q2 I* I4 s6 Y【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
" ?, r0 z2 Y+ Y8 s【规格】12V2A
* N' b# g2 _1 ^【控制IC】TT9930" ?- c3 @* {7 d

' I' s" r; L" N) N【问题描述】
) @; R3 q1 f9 j4 T7 e) Y+ @/ j. d# p- J0 T& n* C  g
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。+ k7 x  A/ g' z# N, `" k- v4 }

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$ W; B7 L7 d0 ~/ O% q4 J0 D) ]$ S* u如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。5 d7 r2 I" V: }. |1 c( B5 r4 d6 u
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【解决思路】
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1、重新设计电源
( U, g! }9 E  L3 Y$ I( @3 \# K, O$ F; ?2 @7 P8 s4 p
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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4 M& T2 M: u6 B2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。! j; i; u, U% v" t# B+ C

" y1 q8 B9 U) t4 u! E9 G, l3、优化PCB布局3 e5 V" W0 _: c8 R5 `8 n) @
5 Y, Z/ Y2 g: b4 G: h( Y2 v
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。% u( s) ]* b) w8 o8 ~" ~/ Z6 Z

3 `1 b7 Y" L4 a4 j8 Y# I4、优化散热设计8 d7 P% G  ?2 }

$ r0 b9 |% v: [  {! ?) E, M4 V通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理6 b- d/ U6 v7 w* @7 F& j7 l7 V

7 E8 l4 H9 M3 B加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
( t! n& {. b1 p3 |( n
, a; f5 Q2 Z3 d$ l4 E【调通要点】& F- i1 e7 n9 b' a) g7 `3 Z
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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) z/ x+ H0 Q6 c7 R" t1 {( y: G如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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